模拟电子技术1完整课件.ppt

电工与模数电技术 主讲人：元增民 主讲教师简介 电工与模数电技术 元增民，77级大学生，82级研究生，高级工程师、教授。模拟电子技术QQ群群主，百度知道网名一叶扁舟轻轻地，在电工与模数电领域发表数千篇满意答复。 已发表论文30多篇。出版三种特色教科书： 1.《单片机原理与应用基础》国防科大出版社2006； 2.《模拟电子技术》中国电力出版社2009,清华大学出版社2013,2014修订 3.《电工技术》国防科大出版社2011 所教学生以“读书和自习用的时间最短，考得最好”为荣。所讲授课程考试及格率连年稳定在96%以上。所参与培训注电学员很多模数电都考了70~80分以上，使一门拉低总分的短板课一跃变为提升总分的利器。被学生赞誉为“人民的好老师”。 电工与模数电技术 2010年7月 主讲教师在绥芬河 电工与模数电技术 2010年6月主讲教师 在长沙与学生在一起 主讲人：元增民 课程安排 电工与模数电技术 电工电子技术、信息技术及计算机技术是注册电气工程师执业资格考试公共基础部分的内容，模拟电子技术及数字电子技术是专业基础的内容。五门课加起来52~56分，不仅本身就占基础考试总分数240分的22%，而且这五门课是电气工程基础等课程的基础。 电工电子技术、信息技术及计算机技术包括模拟电子技术及数字电子技术的基础内容。把电工电子技术、模拟电子技术及数字电子技术拆分为电工技术、模拟电子技术、数字电子技术及计算信息技术来教学，能够避免重复、节省时间、提高效率。 为了充分利用最少的时间，使学员考试效果最好，本课程主要是结合考试大纲及历年考试情况重点介绍基本知识点及计算方法，尤其是传统教科书没讲但对考试又十分有用的计算方法。 主讲人：元增民 模拟电子技术 电工与模数电技术 1.1.1 半导体 1. 本征半导体、本征激发及载流子 2. 杂质半导体—N型半导体与P型半导体 3. 多数载流子与少数载流子 1.1.2 pn结的扩散势及其内电场 1. 扩散势与pn结内电场及势垒的形成 2. 外加电压对pn结内电场的影响——单向导电性 3. 光照对pn结内电场的影响——光电效应 1.1.3 pn结(二极管)及其数学模型 第1章 晶体管(1) 1.1 半导体pn结与晶体二极管数理模型 PPT1 作业: 思考题 1.1.5 硅二极管的正向压降名义值为0.7V，为什么实际分布在0.5V~0.8V宽范围上？ 本节要务 PN结单向导电性 1.二极管输入特性曲线—动态电阻 2.掺杂浓度对二极管正向压降的影响 3.PN结光电效应 人身体中的单向开关 心脏搏动动画网址： /151/PrjFile/huli/UploadFiles/Media/eManSys_0725194027.swf /Article/view/47441eManSys_0725194027.swf = 上帝赏赐给人类单向开关，人类也能制造出更多的单向开关！ 心脏的周期性收缩与舒张示意图 心脏中的四只单向开关：二尖瓣、三尖瓣、肺动脉瓣、主动脉瓣 心房是静脉的末端，心室是动脉的起端。泵血功能主要由心室的强力收缩来实现 第1章 晶体管 1.1 半导体pn结与晶体二极管 电导率介于导体与绝缘体之间的材料称为半导体。 常见半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。 1.1.1 半导体 (a) 硅、锗晶体立体结构图 (b) 硅、锗晶体的平面表达 图1.1.1 本征半导体硅、锗的晶体结构 共价键中的电子相互约束，很难成为自由电子，是本征半导体材料及高纯半导体材料电导率很低的主要原因。 本征激发：半导体中不断地成对出现微量自由电子—空穴，又不断地复合。每立方厘米本征半导体中的自由电子数用Ni表示，等量空穴数用Pi表示，下标i来自intrinsic(本征)。Pi=Ni。Ni和Pi统称为本征载流子浓度。室温下硅本征载流子浓度Ni=Pi≈1.4×1010/cm3。 自由电子和空穴叫做载流子。室温时硅晶体中每36000亿个硅原子中才有一个释放出一个自由电子，故本征硅晶体导电性很差。 温度越高，本征激发越厉害，半导体电导率就越高。 1. 本征半导体、本征激发及载流子 每立方厘米硅晶体约有5×1022个硅原子。成分纯净、结构单晶的理想半导体材料称为本征半导体.制造二极管、三极管要用纯度99.999 999 9%(俗称九个9)的半导体材料。 2. 杂质半导体—N型半导体与P型半导体 (1) 掺入杂质为三价元素或五价元素。 四价主体各掺入三、五价元素能形成特性互补的杂质半导体。 (2) 掺杂量适当，通常为百万分之一甚至更微量的掺杂。 掺杂使