数字电子技术 教学课件 ppt 作者 初玲 第8次课CMOS集成逻辑门.docVIP

PAGE PAGE 8 第8次课CMOS集成逻辑门 本次重点内容： 1、CMOS集成逻辑门工作原理。 2、TTL与CMOS集成电路性能比较 3、、TTL与CMOS系列的接口。 教学过程 8.1 CMOS集成逻辑门 MOS集成逻辑门是由MOS场效应管组成的数字集成电路。MOS管通常由金属、氧化物和半导体组成，它是电压控制型器件。MOS集成逻辑门的制作工艺简单，成本低，输入阻抗极高，功耗低，集成度高，工作电源为3到18伏，电源电压允许变化范围大，抗干扰能力强，能与大多数的TTL逻辑电路兼容。 MOS集成逻辑门分P沟道增强型（称PMOS）、N沟道增强型（称NMOS）和互补型MOS（称CMOS）三种。 一、CMOS反相器的工作原理 1．电路结构 CMOS反相器的电路结构如图8-1所示。 图8-1 CMOS反相器的电路结构 CMOS反相器由两个增强型场效应管组成，其中VT2为N沟道结构，VT1为P沟道结构，在电路中T2为驱动管，VT1为负载管。这种由VT1，VT2共同组成的互补对称型的场效应管集成电路称为CMOS反相器。 2. 电路工作原理 uI=0V时，uGSN=0V，此时VT2截止、uGSP=－10V，VT1导通，输出uO为高电平； uI=10V时，uGSN=10V，此时VT2导通、uGSP=0V，VT1截止，输出uO为低电平。 由此可见，输入和输出之间为反相关系