工程电磁场基础及应用 教学课件 ppt 作者 刘淑琴 第6章.pptVIP

等效交流电阻Z及其计算 导体位于 的半无限大空间，设其电导率为 ，磁导率为 。由于集肤效应，导体中J、E、H沿x方向按指数规律衰减，即 截面的电流为 下 页 上 页 返 回 图6-12 交流阻抗z的计算 复阻抗为 6.7 工程应用实例 6.7.1 电涡流传感器 电涡流式传感器是20世纪70年代发展起来的新型传感器，它的特点是结构简单、灵敏度高、频率响应范围宽，还可以对一些参数进行非接触的连续测量。 电涡流式传感器主要分为高频反射式和低频透射式两类。 下 页 上 页 返 回 电涡流式传感器原理图 6.7.2 无损探伤 磁粉探伤是无损探伤的一种，它是利用磁场磁化钢铁工件所产生的漏磁来发现其中的缺陷。漏磁场形成的原因是由于空气的磁导率远远低于钢铁的磁导率，如果磁化了的钢铁工件上存在着缺陷，则磁感应线优先通过磁导率高的工件，这就迫使一部分磁感应线从缺陷下面通过，形成磁感应线的压缩。但是，这部分材料可容纳的磁感应线数目也是有限的，所以，一部分磁感应线继续其原来的路径，仍从缺陷中穿过，还有一部分磁感应线遵循折射定律几乎从钢材表面垂直地进入空间，绕过缺陷，折回工件，形成了漏磁场。 下 页 上 页 返 回 漏磁场的宽度要比缺陷的实际宽度大数倍至数十倍，所以磁痕能将缺陷放大，使之容易观察出来 磁粉受漏磁场吸引 6.7.3 变压器和自耦变压器 两个磁耦合线圈形成的变压器 空载变压器 有载变压器 下 页 上 页 返 回 双绕组变压器连接成自耦变压器的几种方式 （a） （b） （c） （d） 下 页 上 页 返 回 本章小结 上 页 返 回 1. 磁准静态场（MQS） 2. 磁准静态场（MQS） 3. 集肤效应、透入深度、邻近效应 4.涡流 5.电磁屏蔽 6.电路理论中的基尔霍夫电流定律、电压定律和电路参数 第 6 章 准静态电磁场 第 6 章 准静态电磁场 下 页 返 回 6.1 麦克斯韦的革命--引导现代物理时代的到来 由麦克斯韦方程组表示的定律是高度概括的，它和洛仑兹定律可以被认为对自由空间中电动力学的相互作用提供了完整的描述。 另一个重要意义：法拉第和麦克斯韦引入了一种全新的物理实在，否定了当时占主导地位的超距作用，将电、磁、光法拉第和麦克斯韦关于场的概念对于理解原子核、量子力学和物质的精细结构都具有重大影响。可以毫不夸张地说，麦克斯韦引导我们进入了现代物理的时代。 准静态电磁场—时变场---静态场 准静态电磁场可以分作电准静态场和磁准静态场两类。 如果正弦电磁场满足如下条件： （1）推迟时间远远小于电磁波的周期T，（2）场点距离远远小于波长 就可忽略推迟效应，认为场量和场源间存在类似静态场的瞬时对应关系，也可做准静态场处理，是磁准静态场的一类。 山东大学电气工程学院 图6.1 电磁场分类 下 页 上 页 返 回 本 章 要 求 了解EQS和MQS的共性和个性， 掌握工程计算中简化为准静态场的条件； 掌握准静态场的计算方法。 下 页 上 页 返 回 6.2.1 电准静态场 这样的电磁场称为电准静态场（EQS）。与静态场相仿可得 可得到泊松方程 6.2 电准静态场和磁准静态场 下 页 上 页 返 回 若库仑电场远大于涡旋电场，可忽略二次源 的作用，有 与静电场不同的是，电准静态场要考虑对应的时变磁场，仍满足麦克斯韦方程组，遵从 可做电准静态场处理的情况： （1）高电压产生的库仑电场远大于时变磁场产生感应电场时； （2）在某些低频情况下，感应电场的旋度很小，在计算精度允许的范围内，也可做电准静态场考虑。 下 页 上 页 返 回 例6—1 有一圆形平行板空气电容器，极板半径。边缘效应可以忽略。现设有频率为、有效值为0.1A的正弦电流通过该电容器。求电容器中的磁场强度。 式中的电流 。设圆柱坐标系的z轴 与电容器的轴线重合。选择一圆形回路 ，运用全电流定律，得 解：电容器中位移电流密度 下 页 上 页 返 回 其中 为观察点与z轴之间的垂直距离， 的方向由z轴与电容器的轴线重合。选择一圆形回路，运用全电流定律，得 H 的方向为 。 称为磁准静态场（MQS）。与恒定磁场相仿，磁准静态场也可以用随时间变换的矢量位函数的旋度表示，即 6.2.2 磁准静态场 同样， 满足矢量泊松方程 下 页 上 页 返 回 在低频电磁场中，如果 ，可以忽略位移电流，这时，麦克斯韦方程组中的时变磁场满足 与恒定磁场不同的是，磁准静态场要考虑对应的时变电场，仍满足麦克斯韦方程