电子科大课堂讲义-模拟电路-第4章.pptVIP

4、N沟道增强型MOS管工作于放大区的偏置条件 uGS＞UT（＞0）； uDS＞uGS-UT （1）结构：衬底为N型，S、D区为P+； （2）工作在放大区偏置电压条件 uGS＜UT（＜0）； uDS＜uGS-UT ； （3）iD方向：流出漏极； （4）转移特性曲线：三象限； （5）输出特性曲线：三象限且参变量uGS为负值。 5、P沟道增强型MOS管归纳、对比 二、N沟道耗尽型MOSFET 1、结构和工作原理 管子存在原始导电沟道，只要UDS＞0，就有iD； 加入uGS可改变原电场强度： 当uGS＞0时，加强原电场，沟道加宽，iD↑， 当uGS＜0时，削弱原电场，沟道变窄，iD↓， 当uGS达到某一负电压UP时，外电场抵消原始自建电场，沟道消失，iD=0 。 故耗尽型MOS管的uGS可在一定范围内（正～负）控制iD。 UP：称为耗尽型管的夹断电压， 其值为反型层(原始沟道)刚刚消失时对应的uGS。 2、特性曲线 转移特性曲线 耗尽型MOS管除uGS取值与增强型管不同外，其余工作原理与之相同。 iD、uGS间的数学关系与结型管相同 即： 输出特性曲线 参变量uGS可正、 可负、 可为零。