二极体等效电路.pptVIP

原子結構 能量階 逆向電壓會產生較寬的空乏層。 在 n-型材料中的電子會被吸引朝向正端。 在 p-型材料中的電洞會被吸引朝向負端。 理想與實際二極體的比較 多個二極體可以在積體電路 (IC)中包裝在一起。 二極體陣列 * * 第1章:半導體二極體 * 二極體 二極體是一種雙端的裝置。 二極體理想的導通電流只有某一方向。 * 摻雜 矽與鍺的電器特性是以加入材料來改進特性，這種過程稱為摻雜。 摻雜的半導體材料有兩種型式: n-型 p-型 n-型材料是使矽(或鍺) 原子較負電性。 p-型材料是使矽(或鍺) 原子較正電性。 * 半導體裝置研發所使用的常用材料有: 矽 (Si) 鍺(Ge) 流進二極體中電流的兩種型態: 多數與少數載子 多數載子 在 n-型材料中的多數載子是電子。 在 p-型材料中的多數載子是電洞。 少數載子 在n-型材料中的少數載子是電洞。 在p-型材料中的少數載子是電子。 * p-n 接面 矽或鍺晶體的一端可以摻雜成為 p-型材料而另一端則摻雜成為n-型材料。 這結果就是p-n接面。 * p-n 接面 在 p-n 接面上, n-型邊的負電性電荷原子是會吸引 p-型邊的正電性原子。在n-型材料中的電子會移動越過接面到p-型材料中(電子流)。 O或者你可以說在p-型材料中的“電洞”越過接面到n-型材料中(傳統的電流)。 綜合結果就是在接面附近構成了空乏區。