不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体将硅或锗材料.ppt

* 第一章 半导体器件 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 　　纯净的具有晶体结构的半导体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 一、导体、半导体和绝缘体 第一章 半导体器件 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。 例如： 当受外界热和光的作用时， 它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 光敏器件 二极管 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 1.1.1　本征半导体结构示意图 二、本征半导体的晶体结构 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 1.1.2　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 自由电子 空穴 若 T ? ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T ? 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 　　空穴可看成带正电的载流子。 三、本征半导体中的两种载流子 （动画1-1） （动画1-2） 1. 半导体中两种载流子 带负电的自由电子 带正电的空穴 　　2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，　　　称为 电子 - 空穴对。 　　4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又　　　不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动　　　会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 　　5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升　　　高，基本按指数规律增加。 小结：　 1.1.2　杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体(Negative) 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如　　磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型　　半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。 　　电子称为多数载流子(简称多子)， 　　空穴称为少数载流子(简称少子)。 5 价杂质原子称为施主原子。 二、 P 型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 +3 　　空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 　　3 价杂质原子称为受主原子。 受主原子 空穴 图 1.1.4　P 型半导体 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P N PN结 图 　PN 结的形成 一、PN 结的形成 1.1.3　PN结 二、 PN 结的单向导电性 1. PN结 外加正向电压时处于导通状态 又称正向偏置，简称正偏。 外电场方向 内电场方向 　耗尽层 V R I 空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。 图 1.1.6 P N 什么是PN结的单向导电性？ 有什么作用？ *