核反应分析Nuclear Reaction Analysis(NRA)课件.pptVIP

核 反 应 分 析Nuclear Reaction Analysis(NRA) 4.1.引言： 1. RBS分析轻基体中的重元素含量，简便易行。 2. PIXE分析中重元素，灵敏且精度较高，方便易行，用途广泛。 [注] 它们共同的缺点是：对轻元素分析失效，深度分辨差。 3. NRA分析轻元素特别有效，且深度分辨好，干扰小，但对重元素分析效果交差。 若把以上的分析手段相结合，则可以做到全元素分析。在具体的应用时大家可根据实际情况采用相关的分析手段。 4.2.综述： 4.3.核反应分析原理 4.4 实验技术和设备 加速器是该试验的一个重要组成部分，对于他提供的束流有如下要求： 束流强度：几个微安 能量步长：≈100eV，特别对于窄共振峰 能量离散：≤1keV 束斑大小：4mm2 4.4 实验技术和设备 2. 样品和靶室的安置 该安置如测量带电粒子与背散射测量的情形相同（如上面左图）；如测量γ射线则应与PIXE分析相同（如上面右图）。 4.4 实验技术和设备 3. 谱线的获取装置 （1）探测γ射线装置（参见PIXE讲稿的叙述） （2）探测带电粒子的装置（参见RBS讲稿的叙述） 4.4 实验技术和设备 5. 试验用仪器 （1）NIM插件 （2）电子计算机 （3）加速器 4.4 实验技术和设备 6. 减小干扰的方法： （1）靶室与探测器间的物 质尽可能的减少 （2）对应于强束流的入射 要求有较好的靶冷却系统 （3）采用无油真空系统减小C 污染 （4）改进法拉第筒，提高束 流测量的精度 （5）采用高Z的靶衬底以减小 干扰反应 （6）克服绝缘靶衬底上的电 荷积累 7. 常见的干扰反应 19F(P,αγ)16O 15N(P,αγ)12C 13C(α, n)16O 17O(α, n)20Ne 18O(α, n)21Ne 10B(α, P)13C 19F(α, P)22Ne 4.4 实验技术和设备 8. 实验中的技术问题： （1）带电粒子的探测：采用金硅面垒探测器（Surface Barrier Detector Au-Si）,能量分辨对轻粒子较好，可达15-20keV，但该探测器怕光，应避光保存，避免光线直接照射。对于轻粒子，一般接受剂量为108个粒子，而对于中粒子则要更少，重离子的辐照损伤很厉害，使用时应特别注意。 （2）粒子甄别：a. 采用吸收膜，膜厚要根据试验情况具体选择。b. 控制探测器的耗尽层，去除轻粒子。 4.5 NRA分析的应用实例 利用16O(d, p)17O反应，测量Si表面的O污染。 集成电路中，处理硅片是很重要的，用不同的处理方法，制成的集成电路质量会有很大的差别，下面是对集中处理方法的分析： （1）HCl:H2O2:H2O=1:1:6，煮沸15分钟，去离子水清洗15分钟，2.5%的HF洗1.5分钟，去离子水洗20分钟。 （2）NH4OH: H2O2:H2O=1:1:5，煮沸15分钟，去离子水清洗15分钟，2.5%的HF洗1.5分钟，去离子水洗20分钟。 （3）H2SO4（浓），腐蚀15分钟，去离子水清洗20分钟。 研究三种情况下，Si片上的氧含量： 标样：Ta2O5 实验条件：2MeV的d束，束斑为2mm 流强为：200-1000μA 结果： 第一种清洗方式氧的含量最低，同样生产出的集成电路质量最好。 4.5 NRA分析的应用实例 2. 利用27Al(p, γ)28Si反应，测量Si-Al层的厚度 集成电路中采用Al作布线金属，先蒸发一层Al后再退火处理，声称硅铝合金，合金层的厚度即合金的含量对集成电路的性能影响很大，因而在实际应用中这一量的控制也很重要。 测量时采用相对比较法：标样是99.999%的纯铝，制成薄膜。 待测样品：硅上镀铝，退火后用化学方法腐蚀掉表面的纯铝层。 采用能量为992keV的质子束，通过铝的共振峰测量铝的相对含量。 4.5 NRA分析的应用实例 3. 利用19F(p, αγ)16O反应测量非晶态硅中的氟含量和深度分布 （1）意义：硅太阳能电池发展经历了三个阶段：硅片滇池、硅带电池和非晶硅（α-Si）电池。前两种成本高，工艺复杂，难于广泛应用，而非晶硅造价很低，极有推广前景，过得到广泛的应用。 （2）简介：α-Si:H 电池目前的光转换效率为5%，根据理论估计，他的效率可达23%，是世界瞩目的研究方向。但α-Si中的H在3500时就溢出，因此影响着该领域的发展。1978年，研制成了α-Si:F合金，该合金在6000退火，无显著的变化，性能也无显著的变化，因此分析不同退火条件下的α-Si:F中的F含量及其深度分布很有意义。 （3）测量：通过标样法（CaF2），得出带测样品的相对含量，