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20.1.1 基本结构 工作原理 (1)反向阻断：晶闸管加反向电压（即阳极a接电源负极，阴极b接正极），晶闸管不导通。 (2)正向阻断：晶闸管加正向电压（即阳极a接电源正极，阴极b接负极），但开关S断开时，控制极g无触发电压，灯不亮，说明晶闸管不导通。 (3)触发导通：晶闸管加正向电压，且开关S闭合，即在控制极g加正向触发电压，灯亮，说明晶闸管导通。 （4）导通后控制失去控制作用 ——一旦晶闸管触发导通后，即使将开关S断开，移去触发电压，晶闸管仍保持导通状态。要使晶闸管断开，必须在阳极和阴极之间外加反向电压，或者将正向电压降低到一定数值，使流过晶闸管的电流很小而关断。 绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 场效应管的主要参数 1．性能参数 （1）开启电压UGS(th)和夹断电压UGS(off) 它指uDS一定时，使漏极电流iD等于某一微小电流时栅、源之间所加的电压uGS，对于增强型MOS管称为开启电压UGS(th)，对于耗尽型MOS管称为夹断电压UGS(off)。 （2）饱和漏极电流IDSS 它是耗尽型管子的参数，指工作在饱和区的耗尽型场效应管在uGS＝0时的饱和漏极电流。 （3）直流输入电阻RGS 指漏、源极间短路时，栅、源之间所加直流电压与栅极直流电流之比。一般JFET的RGS＞Ω，而MOS管的RGS＞Ω。 （4）低频跨导(互导)gm 当uDS为某定值时，漏极电流iD的变化量和引起它变化的uGS变化量之比，即 ????????????????????? ??????????????? 2．极限参数 （1）最大漏极电流IDM ?? IDM是指管子在工作时允许的最大漏极电流。 （2）最大耗散功率PDM ?最大耗散功率PDM＝uDS iD，其值受管子的最高工作温度的限制。 （3）漏源击穿电压U（BR）DS ?它是漏、源极间所能承受的最大电压，即uDS增大到使iD开始急剧上升(管子击穿)时的uDS值。 （4）栅源击穿电压U（BR）GS ?它是指栅、源极间所能承受的最大电压。uGS值超过此值时，栅源间发生击穿。 　 1.结型场效应晶体管栅极的判断 2. 场效应晶体管好坏的判断 ??? 先用MF10型万用表R*100KΩ挡（内置有15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。 3.使用场效应管时的注意事项 MOS场效应晶体管使用注意事项 ??? MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： ??? 1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装。 ??? 2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。 ??? 3.焊接用的电烙铁必须良好接地。 4.在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。 ??? 5.MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 ??? 6.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。 ??? 7.MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。 常用电子元器件-晶闸管，场效应管 常 用 电 子 元 器 件 -二极管 晶闸管，场效应管的应用场合？ 晶闸管，场效应管型号命名？ 晶闸管，场效应管表示符号？ 晶闸管，场效应管主要参数？ 晶闸管，场效应管的种类？ 晶闸管，场效应管的检测方法？ 资讯： 晶闸管 （Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。