场效应管没有加偏置电压时.ppt

5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏?耗尽层加厚 ?沟道变窄。 VGS继续减小，沟道继续变窄。 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时, VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP ，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ??夹断区延长 ?沟道电阻??ID基本不变 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 1. 输出特性 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 1. JFET小信号模型 （1）低频模型 例5.3.1:Rg3=10MΩ, Rg1=2MΩ, Rg2=47kΩ, Rd=30kΩ, R=2kΩ, VDD=18V,VP=-1V, IDSS=0.5mA, λ=0, 求Q点 * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 第五章 场效应管放大电路 姚恒 hyao@usst.ed