准零维量子点激光器的发展瓶颈.pdf

激光与光电子学进展 51, 030006(2014) Laser Optoelectronics Progress ©2014《中国激光》杂志社 准零维量子点激光器的发展瓶颈 李世国 王新中 周志文 张卫丰 深圳信息职业技术学院电子与通信学院，广东 深圳 518172 摘要 近年来半导体材料主要朝两个方向发展：一方面是材料工程，即通过不断探索扩展新的半导体材料实现；另一 方面是能带工程，即通过改变已知材料的维度进而实现能带的调节。准零维半导体量子点就是通过改变其尺寸调控 能带的典型代表。主要论述了准零维量子点激光器发展过程中遇到的一些瓶颈问题。 关键词 激光器;量子点激光器;半导体激光器;准零维器件 中图分类号 O469 文献标识码 A doi: 10.3788/LOP51.030006 DevelopingBottlenecksofQuasi-Zero-Dimensional QuantumDotLasers LiShiguo WangXinzhong ZhouZhiwen ZhangWeifeng SchoolofElectronicsandCommunications,ShenzhenInstituteofInformationTechnology, Shenzhen,Guangdong 518172,China Abstracts In recentyears,the developmentsofsemiconductormaterialsfollow two directions.One isso- called the material engineering, which is focusing on continuously pursuing new semiconductor material systems. The other one is the band engineering which is used to change the band energy of known semiconductormaterialsystembyadjustingtheirdimensions.Quasi-zero-dimensionalsemiconductorquantum dotisatypicalrepresentativeofbandengineeringbychangingthesizeofdot.Inthispaper,wearemainly concentratedonintroducingthebottlenecksofquasi-zero-dimensionalsemiconductorquantumdotlasers. Keywords lasers;quantumdotlasers;semiconductorlaser;quasi-zero-dimensionaldevice OCIScodes 140.2020;230.5590; 160.4236 1 引 言 [1] 自1970年美国IBM公司的Esaki等 提出超晶格概念后，引发了人们对二维（2D）量子阱材料的研究热 潮，对其开展了大量的理论与实验研究工作，以期能将基于量子机理的效应应用于半导体激光器领域。随 着生长技术的不断改进，二维量子阱材料的质量和器件的性能都有很大的提高，现在很多量子阱光电器件 都实现了商业化。而更低维度的量子线、量子点，由于其特殊的结构，表现出比传统半导体器件更优越的性 能，成为最近研究的热点。1982年日本东京大学的Arakawa等[2]通过理论计算指出量子点激光器的热稳定 性要比传统的半导体激光器有很大的提升。1986年Asada等[3]通过理论计算预言量子点结构的阈值电流密 度相比二维的量子阱结构将会有显著的降低，从而有望解决半导体激光器中阈值电流密度过大的问题