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扫描电镜工作原理：背散射电子的 检测 发布者：飞纳电镜 背散射电子 （BSE ）是由入射电子束与原子核的弹性散射或非弹性散射所产生的高能电 子。背散射电子 （BSE ）的产率 ，即出射的背散射电子（BSE ）数与入射电子数之比，取决 于样品平均原子序数 ：平均原子序数越高，或元素越重，衬度就越亮。在飞纳台式扫描电 镜中，背散射电子是通过放置在样品上方的四分割半导体探测器检测到的。在这篇博客 中，将解释什么是半导体探测器，以及如何在扫描电子显微镜下检测背散射电子。 背散射电子的发射 当入射电子击中样品表面时，入射电子与原子的原子核相互作用，并偏离其轨迹，如图 1 所示。 图 1 ：入射电子与原子核相互作用后散射的示意图 如果条件合适，入射电子可以被散射回来，并脱离样品表面，保持其高能量。一般来说， 较重的元素，因为它们的原子核较大，可以比较轻的元素更强烈地偏转入射电子。因此， 在扫描电镜图像中，像银这样的重元素 （原子序数为 47 ）与原子序数为 14 的轻元素 （如 硅 ）相比显得更加明亮，因为更多的背散射电子从样品表面发射出来。 图 2 显示了银和硅之间的背散射电子（BSE ）图像的对比。这张图片显示了一个太阳能电 池板的区域，白色区域是银 ，黑色区域是硅。 图 2 ：太阳能电池板的扫描电镜（SEM ）图像，白色区域为银，黑色区域为硅。 但是如何在扫描电镜中检测到背散射电子呢? 半导体探测器的物理性质 通常用固态 （或半导体 ）探测器进行背散射电子（BSE ）的检测。这些由掺杂的半导体材 料 （通常是硅 ）组成，并直接置于样品上方 ，如图3 所示。半导体探测器的工作原理是利 用入射的背散射电子（BSE ）在半导体中产生电子空穴对。简而言之 ：撞击探测器的背散 射电子（BSE ）激发硅电子，形成电子空穴对。 在硅中形成电子空穴对，需要 3.6 eV 的能量，产生的电子空穴对的数量与入射电子的能量 及数量成正比。此外，半导体探测器只对高能电子敏感，这也是为什么它们只用于探测背 散射电子的原因。 图 3 ：半导体探测器示意图 扫描电镜中半导体探测器的电子电路 从入射的背散射电子中产生的电子空穴对可以在重组前被分离 ，从而产生电流。这种电流 可以通过电子电路来测量，该电路是具有输入电阻和反馈电阻的运算放大器，如图 3 所 示。 在这里，探测器为电荷收集电流发生器 （Icc ），与掺杂硅 （Rd 和 Cd ）的 p-n 结处形成 的损耗层的电阻和电容平行，与半导体 （Rs ）的内部电阻串联。由于放大器对于较大的 RF/Re 值会变得不稳定，所以在反馈回路中增加了额外的电容，以防止放大器振荡。