固体的电特性2-金属的电特性 半导体的能带.ppt

固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 半导体材料的基本晶体结构 元素半导体 金刚石结构，共价键 大部分III-V族，II-VI族化合物半导体 闪锌矿结构，共价(离子)键 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 导体、绝缘体、半导体中电子填充情况 导体 绝缘体 半导体 载流子：导带电子+价带空穴 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 半导体的本征热激发 在高纯半导体材料中，当温度较高时 电子受热激发，从价带跃迁到导带 价带产生空穴，导带产生电子 空穴数目等于电子数目 这种电子和空穴统称本征载流子 本征载流子 与温度有关，温度越高，数目越大 与带隙宽度有关，一般半导体 Eg2eV 根据载流子浓度与温度的关系，可以得到带隙 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 半导体材料的基本特性 绝对零度不导电而室温具有导电性 室温电阻率 ? 介于金属与绝缘体之间 金属 10?6 (Ω·cm) 半导体 10?3 ? 109 (Ω·cm) 绝缘体 1014 (Ω·cm) 温度增加时电阻率 ? 减小 与金属在温度增加时电阻率增大相反 半导体有两种载流子 电子(electron, negative)和空穴(hole, positive) 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 半导体的基本能带结构 以Si为例 存在一系列满带，左图下面的能带为最上面的满带，称为价带 价带之上，有一系列空带，最低空带称为导带 导带和价带间能量区间称为带隙，带隙宽度Eg Eg的值等于导带底减去价带顶的能量差值 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 直接带隙和间接带隙 典型： GaAs InP GaN 典型： Si Ge C GaP 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 半导体的带隙 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 带隙与温度的关系 带隙的大小与温度有关 变化不大，从 0K 到室温 300K，大约减小10% 原因： 热膨胀，晶格常数增大，周期势场发生变化 晶格振动增大，对能带结构有所影响 带隙与温度在室温范围里呈线性关系，在非常低温下，呈二次方关系 有效质量和能带宽度的关系 有效质量与能量函数对 k 的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，E(k) 随 k 的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大。 内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 近自由电子近似得到的E-k曲线 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 常见半导体导带底的有效质量 导带底k0附近将E(k)展开，并引入有效质量 k0 为零时，有效质量往往是各向同性的 k0 不为零时，有效质量则往往是各向异性的 对称轴方向的有效质量称纵向有效质量 ml 垂直于对称轴的称为横向有效质量 mt 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * Ge、Si的导带底有效质量 Ge 导带底位置：布里渊区的 L 点 (111)方向 ml：1.64 m0 mt：0.082 m0 Si 导带底位置：布里渊区的靠近 X 点 (100)方向 ml：0.98 m0 mt：0.19 m0 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * Si的导带椭球等能面 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 半导体价带顶的能带结构图 a是不计入自旋-轨道作用； b是考虑自旋-轨道耦合分裂的情况 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 常见半导体价带顶的轻重空穴带 锗、硅和III-V族化合物的价带顶都是简并的 所谓重空穴、轻空穴 重空穴能带弯曲小，轻空穴能带弯曲大 价带因简并问题, 有效质量形式复杂, 等能面扭曲 不同的方向对应的有效质量不同 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 价带顶的轻重空穴带与自旋分裂带 A B C ?(eV) Si 4 1.1 4.1 0.044 Ge 13 8.3 12.5 0.29 GaAs 7 4.5 6.2 0.341 轻重空穴 自旋分裂能带 * * 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 第四章 固体的电特性 内容提要 4.1 晶体中电子在外场下的运动 4.2 金属的电特性 4.3 半导体的电特性 4.4 固体间接触的电特性 固体物理基础（2014春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 部分填充能带在电场下产生电流 无外场的电子能带 净电流0 加电场的电子能带