L04小尺寸MOSFET的特性.ppt

*/74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律18 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 2. tox Fowler-Nordheim 隧穿电流： 要求：Jg Jpn 例如，Jgmax = 10?10 A/cm2，则 Eoxmax = 5.8 MV/cm ? ~ 几十 ? */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律19 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 2. tox High-k Gate Dielectric High-k dielectrics provide higher capacitance and reduced leakage EOT (Effective Oxide Thickness) */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律20 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 3. WS , WD (1) Nch 和 VT 的 scaling WS , WD ? NA ? VT ? 或至少不上升 ? NA ? VT ? Scaling 困难 解决方法 ?? Non-uniform doping (Retrograded well doping) NA x Nch Nsub dch x Nch dch Ex dmax 强反型定义：Vs = 2VB,ch */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律21 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 3. WS , WD (2) Eymax 漏结击穿 ~ 0.6 MV/cm 漏端热载流子效应要求 Eymax ? 0.2 MV/cm Scaling 措施：LDD */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律22 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 4. 现状和未来 45 nm HK + MG SiGe S/D (Strained Si) High-K layer Metal gate Copper /Low-K M8 810nm M7 560nm M6 360nm M5 280nm M4 240nm M3 160nm M2 160nm M1 160nm Low-k Cu Layer Pitch */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律23 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 4. 现状和未来 Planar CMOS Transistor Scaling DST (Depleted Substrate Transistor) */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律24 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 4. 现状和未来 SOI MOSFET DST (Depleted Substrate Transistor) Fully Depleted (FD-) SOI MOSFET Lg = 65 nm 75 mV/dec 95 mV/dec */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律25 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 4. 现状和未来 Non-Planar CMOS Transistors Double Gate FinFET Tri-Gate Transistor */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律26 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 4. 现状和未来 The Ideal MOS Transistor */74 4.3 MOSFET的按比例缩小规律22 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 4. 现状和未来 晶体管尺寸持续快速缩小 */74 It’s the end of this course, but not the end of semiconductor devices. */74 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性1 4.2.1 载流子速度饱和效应 v 不饱和区 v 饱和区 v(Ey) = Ey Esat Ey ? Esat */74 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性2 4.2.1 载流子速度饱和效应 长沟道、短沟道直流特性对比 长沟道 短沟道 线性区 IDS 饱和条件 ? ? 饱和区 */74 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性3 4.2.1 载流子速度饱和效应 短沟道 MOSFET 饱和区特性 计算沟道中 P 点（速度达到 vsat ，电场达到 Esat ）的电流 区 I： 区 II： = ? ? */74 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性4 4.2.1 载流子速度饱和效应 短沟道 MOSFET 的直流特性 线性区 饱和区 饱和条件： 当