§5.4 半导体激光器的模式特性教学课件.ppt

§5.4 半导体激光器的模式特性 目的：在大容量、单模光纤通信系统中，要 求LD单纵模工作，存储、耦合中LD单 纵模工作 TE 横模 LD中光场 TEmng TM 纵模 一.纵横模谱 电流注入 载流子浓度N 非辐射复合泄漏 受激发射 自发发射 光子密度S 内腔损耗 输出损耗 纵模频率： 纵模功率：速率方程 注入电子浓度 自发发射复合寿命 q阶模光子密度 自发发射 自发发射 受激发射 受激增益 损耗 注入 自发发射因子 增益 为峰值增益 抛物线拟合因子 在稳态下： 从一个解理面出射功率 w:条宽 E:用J表示光子能量 腔的影响 腔内功率 二.影响纵模模谱的因素 1. 自发发射因子对模谱的影响 ↓ ↓ 单模性好↑ LD Solid Laser Gas Laser 2. 注入电流的影响 I↑ 模式竞争效应↑ 次模饱和↑ 单模性↑ 因LD为均匀加宽 由模式竞争 单模 3. 腔长的影响 腔长↓ 纵模数↓ (DFB,DBR-LD等除外) 三.激光器的单纵模工作条件 主模的饱和功率足够高，次模的饱和功率足够低 → 单纵模工作 由 表达式 定义q阶模的 饱和光子密度 由 讨论：λ↓、γ↑，腔长↓，R↑，侧向折射 率波导结构（k=1） → 次模 ↓ → 单纵模工作 由 要想单模输出 → 应可能小 为LD单模工作条件 由 单模LD输出功 率下线 → 12.8dB → 边模抑止比（SMR）≤12.8dB DBF SMR≤30dB 四.“空间烧孔”效应对单模功率的限制 空间烧孔：在驻波的峰值处，注入载流子的消耗比周围区域来得快，使该处的增益下降，在空间上出现烧孔。 ①腔长L↓，单模工作范围↑ 随功率上升和电子空穴扩散率D，增益减少Δg 当主模与最临近纵模之间增益差＝Δg时 → 开始空间烧洞 可求出烧洞所限最大单模功率 ②电子空穴扩散率D↑工作范围↑ 五.温度对模谱的影响 温度偏离最佳值 → 主模与次模Δg↓ → 为达到单模工作 ↑ → LD结晶↑ → 双模振荡（见图） 六.获得单纵模LD的方法 1. 主模采用选择反馈，提高边模抑止比 DBF,DBR-LD a. b. 光栅周期对称分布 ①在周期光栅中引入 的相移 ② DBF单纵模输出 输出端AR 非输出端HR 1％ 90％ ③引入一个无光栅的区域靠近某一腔面 ④光栅中引入啁啾变化 相位啁啾 频率啁啾 2. 短腔激光器 3. 增强侧向光波导，降低自发发射因子