第二十讲 固体电介质的电导.pptx

第二十一讲 固体电介质的电导;固体电介质的漏导电流包括两部分：流过体内的电流 Iv和沿着电介质表面流动的电流 Is，有 I =Iv +Is 。 ;在一定电压下，漏导电流与电压成正比，符合欧姆定律。在高电压下，漏导电流与电压不成线性欧姆定律。电导G和电阻R不仅与材料有关，而且和试样的几何形状和尺寸有关。;测量体积电导 Gv和表面电导 Gs时，需将体积漏导电流和表面漏导电流分离开来。加上恒电压时，固体电介质的电流是时间的函数，先很快上升，然后或快或慢地逐渐下降，最后达一稳定值，不再随时间而变。达稳定值的时间不小于1分钟。有以下几种电流需考虑： 介质极化的快速响应部分引起的充电电流。试样电容C0，外电阻R0，衰减时间τ0=R0C0，若R0很小，这一电流几乎是瞬时响应，迅速衰减。 介质极化的缓慢响应部分引起的光电电流。这一电流通常按e-t/z下降。τ通常比τ0大得多，因此不需要考虑外电阻引起的衰变过程。对结构不复杂的均匀电介质τ<1s，对多晶材料和复合材料τ达几分钟以至几小时。这种缓慢的极化形式很多情况下是空间电荷的建立所贡献的极化。 吸收电流。一种充电时随时间缓慢衰减，而在放电时并不可逆的电流，它把充电时注入的电荷吸收到介质内部，这些电荷被介质中的深能级陷阱所俘获，不再参与放电过程。 不随时间变化的漏导电流，真实反映电介质内部的导电过程。为了排除前三种电流的影响，需要长时间把电压加在试样上使电流不随时间改变为止。 ;一般来说，固体电介质的电导按照载流子类型可分为三种： 离子电导或电解电导：载流子是材料的本征离子、杂质离子及空格点； 离化分子电导或电泳电导：这种电导是由于离化了的分子或分子团引起的，在固体中少见，主要出现在玻璃和无定形固体中； 电子电导：由自由电子和空穴引起，载流子来自光电效应，电极注入，施主或受主掺杂。 实际固体电解质中的电导是复杂的，往往多种类型的电导同时存在并相互转化，材料的电导及其规律与材料的化学组成、结构、杂质及环境有很大关系。;2 离子电导;1）离子电导的载流子;肖特基缺陷浓度：;弗兰克尔缺陷的浓度：;（2）杂质缺陷载流子 晶体中杂质缺陷载流子的数量主要取决于材料的化学纯度以及掺杂量,与 温度无关。室温下即使是高纯物体，杂质载流子任然远高于热缺陷本征载 流子，因此例子电导主要去取决于杂质含量。;当杂质离子与基质离子电价不相等时，可能会在晶格中产生空格点 和填隙离子。 例如： ;杂质取代方法： ①.等价取代，取代和被取代原子之间的差别使晶格局部发生微小畸变，电子结构不变。 ②.高价离子取代低价离子，产生空格点。 ③.一对低价离子取代高价离子，产生填隙离子。 克劳格-文克（Kr?ger-VinK）符号： M表示金属离子；O表示氧离子；V表示空格点。在这些字母加上下标表示缺陷位置，下标中M和O表示金属离子和氧离子晶位，i表示填隙位；上标用于表示等效电荷量，用“.”不四傲视单位正电荷，用“’”表示单位负电荷，用“x”或者不加上标表示电中性。 ;2） 导电离子的迁移率;3）离子电导率及其与温度的关系;在高温下，由热缺陷引起的本征离子电导起主导作用， 这时的材料电导率可表示为：;在室温下，热缺陷很少，杂志缺陷起主导作用。 由杂质载流子形成的电导为：;3 电子电导;1） 电子电导的载流子;;以零电场时的导带底为基准，施主能级距导带底 ，从施主能级激发到导带去的电子由于受到施主电离中心库仑力的作用，必须克服库仑势（施主具有正电荷产生的库仑势垒）：;（3）注入载流子;设电场沿着金属-电介质法线x方向，当外电场为零时，处在金属Fermi能级上 的自由电子需获得能量φF 才能进入电介质， φF称为逸出功。电子注入后，在 界面上感生出正电荷，这一感生电荷将阻止电力离开界面，其作用相当于电 子与其镜像感生电荷的作用。设电子距离界面为x，则电子与其镜像的作用 力为：;对上式微分，可得φ（x）最大值极其对应的xm：;隧道注入： 当电场较弱，金属电极中的自由电子可以通过隧道效应穿过金属-电介质界面处的势垒，直接注入到电介质中。 当电场很高，对应于φm的xm 非常小，与德布罗意波的波长相当时，电子便能通过隧道效应穿过高势垒注入到电介质中。在高场强时，隧道注入提供的可动电子是电介质电子电导的重要组成部分。 ;2）电子的迁移率;从上述结果看，与金属中自由电子的定向漂移完全同，但实际上却不然。在电介质中，可动电子将使其周围的媒质发生极化，使其周围晶格发生局部畸变。这种极化，在电子和周围晶格间产生了局部电场，使电子不易摆脱被其本身所极化了的周围媒质。朗道认为这种电子的局域化使电子能量下降，因而处于较为稳定的状态。派加则将这种电子连同被它计划的周围介质称为极化子。 小极子：晶格的极化范围仅是一个晶格常数的极子。 大极子：极化区域扩展到几个晶格常数的