微电子器件第四章.pptxVIP

4.1 MOSFET 基础 ;;;;; 当 VGS VT（称为 阈电压 ）时， N+ 型的源区与漏区之间隔着 P 型区，且漏结反偏，故无漏极电流。当 VGS VT 时，栅下的 P 型硅表面发生 强反型 ，形成连通源、漏区的 N 型 沟道，在 VDS 作用下产生漏极电流 ID 。对于恒定的 VDS ，VGS 越大 ，沟道中的电子就越多，沟道电阻就越小，ID 就越大。; 所以 MOSFET 是通过改变 VGS 来控制沟道的导电性，从而控制漏极电流 ID ，是一种电压控制型器件。; 转移特性曲线：VDS 恒定时的 VGS ~ ID 曲线。MOSFET 的转移特性反映了栅源电压 VGS 对漏极电流 ID 的控制能力。; ① 线性区 VDS 很小时，沟道近似为一个阻值与 VDS 无关的 固定电阻，这时 ID 与 VDS 成线性关系，如图中的 OA 段所示。 ; ② 过渡区 随着 VDS 增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当 VDS 增大到 VDsat ( 饱和漏源电压 ) 时，漏端处的可动电子消失，这称为沟道被 夹断，如图中的 AB 段所示。 线性区与过渡区统称为 非饱和区，有时也统称为 线性区。; ③ 饱和区 当 VDS VDsat 后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区。这时 ID 几乎与 VDS 无关而保持常数 IDsat ，曲线为水平直线，如图中的 BC 段所示。 实际上 ID 随 VDS 的增大而略有增大，曲线略向上翘。; ④ 击穿区 当 VDS 继续增大到 BVDS 时，漏结发生雪崩击穿，或者漏源间发生穿通，ID 急剧增大，如图中的 CD 段所示。; 将各曲线的夹断点用虚线连接起来，虚线左侧为非饱和区，虚线右侧为饱和区。; 4 种类型 MOSFET 的特性曲线小结; 4.2 MOSFET 的阈电压; 4.2.1 MOS 结构的阈电压 ;当金属、氧化层和P型硅未接触时的能带图;当金属、氧化层和P型硅接触时的能带图; 2、金属与半导体间的功函数差 ?MS 0 ，栅氧化层中的电荷面密度 QOX = 0，且VG = 0 时的能带图; 3、金属与半导体间的功函数差 ?MS = 0 ，栅氧化层中的电荷面密度 QOX 0，且VG = 0 时的能带图; 上图中，?S 称为 表面势，即从硅表面处到硅体内平衡处的电势差，等于能带弯曲量除以 q 。;5、实际 MOS 结构当 VG = VFB 时的能带图 当 时，可以使能带恢复为平带状态，这时 ?S = 0，硅表面呈电中性。VFB 称为 平带电压。COX 代表单位面积的栅氧化层电容， ，TOX 代表栅氧化层厚度。; 4、实际 MOS 结构当 VG = VT 时的能带图 要使表面发生强反型，应使表面处的 EF - EiS = q?FP ，这时能带总的弯曲量是 2q?FP ，表面势为 ?S = ?S,inv = 2?FP 。; 外加栅电压超过 VFB 的部分（VG -VFB）称为 有效栅电压。有效栅电压可分为两部分：降在氧化层上的 VOX 与降在硅表面附近的表面电势 ?S ，即 VG – VFB = VOX + ?S ; 表面势 ?S 使能带发生弯曲。表面发生强反型时能带的弯曲量是 2q?FP ，表面势为 2?FP ，于是可得 VT – VFB = VOX + 2?FP ; 上式中， QM 和 QS 分别代表金属一侧的电荷面密度和半导体一侧的电荷面密度，而 QS 又是耗尽层电荷QA 与反型层电荷 Qn 之和。;可得 MOS 结构的阈电压为; 1、阈电压一般表达式的导出;b) 有反向电压 (VS -VB )加在源、漏及反型层的 PN 结上，使 强反型开始时的表面势 ?S,inv 由 2 ?FP变为 ( 2?FP + VS -VB )。 ; 以下推导 QA 的表达式。对于均匀掺杂的衬底，;;称为 N 型衬底的费米势。; 2、影响阈电压的因素;