磁存储和半导体存储.pptVIP

由于可以使用不同阻值代表数字信号，忆阻器在计算机存储领域应用前景广泛。它使用单个元件就可以实现一组闪存电路的功能，并且耗能更少，速度更快。当把忆阻器与半导体电路混合时，可以大幅降低处理器芯片中用于存储的晶体管数量，明显降低成本。 * 如A1DCN, PEDOT、花生酸(Alq3)和聚合物薄膜，如MEH-PPV、纳米金与聚苯胺纤维、PKEu以及有机单分子层如索烃(Catenane)都 * 虽然目前有很多材料被发现具有电阻转变效应，但是具体的电阻转变的物理机制还不清楚。 * 以关于掺V的SrZrO3阻变器件为例来解释导电细丝机制。SrZrO3阻变器件的电流电压特性图（a）所示，在负向电压扫描达到SET阀值电压时，器件由高阻态转变到低阻态，对应图 (b)，这时介质中形成一些局域的导通通道。当正向电压扫描达到RESET阀值电压时，导电细丝将发生断裂过程，对应图中的(c)一(e),这时器件将由低阻态转变为高阻态。 * 这种交义阵列结构简单，工艺流程较少，对于提高器件的成品率非常有利，并可以有效地降低器件的制造成本，存储阵列的密度也可以做的很高。 * RRAM全称为“Resistive Random Access Memory，它主要是利用某些薄膜材料在电激励的作用下会出现不同电阻状态(高、低阻态)的转变现象来进行数据的存储，这和PRAM有相似的地方。 RRAM的基本结构为金属