准一维硒化锌纳米材料的可控掺杂与其纳米光电子器件的分析.pdfVIP

准一维硒化锌纳米材料的可控掺杂及其纳米光电子器件的 研究 摘要 准一维纳米半导体材料具有优异的电学和光学性质，引起了人们广泛的研 991 究兴趣。在宽禁带半导体材料中，II．vI族的硒化锌(ZnSe)尤为引人注目。1 年世界上第一支蓝绿激光二极管即以ZnSe为基础材料制备而成，比GaN激光 波长在460nm左右)，在发光、光伏以及光电探测器件等光电子器件中应用前 景广泛。因此准一维ZnSe纳米材料及其纳米光电子器件具有重要的研究意义。 但本征准一维ZnSe纳米材料电阻率高，近乎绝缘难以应用。对准一维ZnSe纳 米材料的可控掺杂及纳米器件的研究亟待展开。 本论文对于准一维ZnSe纳米材料的可控掺杂及纳米光电子器件进行了系统 的研究。通过在热蒸发过程中引入C1和N元素，我们实现了准一维硒化锌材 料的n、P型可控掺杂，对合成的掺杂纳米结构的形貌、物相以及成分等微结构 进行了表征。并基于掺杂准一维ZnSe纳米材料构筑了场效应晶体管、pn结、 肖特基二极管以及结型场效应晶体管等纳米器件。研究了掺杂水平以及器件结 构的改进对纳米材料的电学和光学的影响，为准一维ZnSe纳米材料在新型光 电子器件中的应用打下基础。具体研究成果如下： 米带微结构进行了表征。结果显示ZnSe：C1纳米带为单晶纤锌矿结构，沿[120] 30．100 进行了表征。经计算得出掺杂后的ZnSe纳米带迁移率和载流子浓度分别可在 0．4cm2V’1 带对不同波长的入射光的光谱测试分析表明随着入射光波长的减小电导有明显 提高，在460nm左右达到最大值。随着掺杂浓度的提高其光谱响应度和增益可 05AW’1和2．1×106。通过在空气中对ZnSe：CI纳米带进行退火工艺并 达到7．9×1 对其进行光学测试，光谱响应测试结果表明ZnSe：C1纳米带的波长吸收范围变 紫外光谱吸收能力。对不同掺杂浓度的ZnSe纳米带的时间响应谱分析显示： 没有掺杂的ZnSe纳米带的光电流远远低于掺杂后的任意样品，光电流随着掺 杂浓度的增加而增加；掺杂后的ZnSe纳米带具有较长的响应时问，这是由于 Cl元素的掺杂产生更多的载流子俘获中心的原因。此外，我们尝试了柔性衬底 纳米场效应晶体管，研究发现ZnSe：C1纳米带具有很好的柔韧性。在一定的弯 曲范围内，柔性衬底上的纳米场效应器件依然保持良好的电学和光学性能。这 为纳米材料在触摸屏和各种柔性器件中的应用提供了实验依据。 掺杂 制备了底栅场效应器件，对N掺杂ZnSe纳米线的电学性质进行了表征。 硅基地组成的纳米异质结具有明显的二极管整流特性，开关比可达到106。其 在模拟光源下开启电压可达到0．45V，短路电流达到2．6nA，转化效率为1．8％， 有望在太阳能电池方面得到应用。此外，同底栅场效应晶体管相比，基于该异 质结的结型场效应晶体管性能得到有效提高：具有较低的开启电压、更接近理 论值的亚阈值摆幅、较高的开关比以及跨导等。而且研究显示P型ZnSe纳米 线与金属A1构成的肖特基二极管有明显的回滞现象即存储特性，并能保持较长 时间(104s)，有望应用于纳米存储器。 关键词：硒化锌；纳米材料；掺杂；纳米光电器 — enoedimensionalSlmenSlonalnZ enanorlIbbonsDD with Ouasi．one controlledandits aS doping applications l ● 1 ● devlCeS nan0-ootoelectronlC Abstrate The electricaland of