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习题解答三 第三章 多级放大电路 第二章 基本放大电路 第一章 常用半导体器件 第三章 多级放大电路 三、选择合适答案填入空内。 （1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。 A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 （3）选用差分放大电路的原因是 。 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。 A.差 B.和 C.平均值 （5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路 的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 （6）互补输出级采用共集形式是为了使 。 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 第二章 基本放大电路 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 * * （1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）C 3.6 图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，rbb′=100Ω，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。 图P3.6 解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下： Ad和Ri分析如下： 自 测 题 一、在括号内用“?”或“×”表明下列说法是否正确。 （1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ） （2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ） （3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ） （4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ） （5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ） （6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何 放大电路的输出都毫无变化；（ ） （7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ） （1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）× 2.9解：(1) ∴ (2)由 可得： 。 2.10解：由于 所以 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 RL=3KΩ时