碳纳米管场发射阴极制备技术的最新进展-CT理论与应用研究.pdf

第22卷 第 1 期 CT理论与应用研究 Vol.22, No.1 2013年1月（181-194） CT Theory and Applications Jan., 2013 邢晓曼, 代秋声. 碳纳米管场发射阴极制备技术的最新进展[J]. CT 理论与应用研究, 2013, 22(1): 181-194. Xing XM, Dai QS. Fabrication methods of large current field emission cathode using carbon nanotubes[J]. CT Theory and Applications, 2013, 22(1): 181-194. 碳纳米管场发射阴极制备技术的最新进展   邢晓曼 ，代秋声 （中国科学院苏州生物医学工程技术研究所，江苏 苏州 215163） 摘要：碳纳米管拥有理想场发射材料的诸多特性，但是目前碳纳米冷阴极制备技术尚存在不可 控性和不稳定性，仅在平面显示，电子显微镜针尖和小剂量 X 射线管方面有商业产品推出。本 文介绍了 CNT 作为场发射电子源在高电场和高电流密度应用中的研究进展，对场发射阴极最新 制造技术进行了比较，并对场发射机制进行深入探讨。针对制约其电流发射特性和使用寿命的 技术难题，对各种应对方案进行比较分析。在这些方案的基础之上对制备技术进一步优化，很 可能解决应用瓶颈，推动CNT场发射阴极的广泛应用。 关键词：碳纳米管；场发射阴极；大电流 文章编号：1004-4140（2013）01-0181-14 中图分类号：TB383 文献标志码：A 自 1991 年 Iijima[1]发现碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT）以来，作为一种崭新的材料结 构，在各个领域被广泛关注，研究和应用。CNT具有极高的长径比，且尖端曲率高，具有高 化学稳定性和机械强度，被视为最具潜力的场发射材料之一。近些年，CNT 不仅在合成技术 上有了突飞猛进的进步，而且在场发射领域作为电子发射源也大量应用，有着传统材料不 具备的优势。 场发射阴极对控制信号的响应时间达到纳秒级，可以实现快速脉冲成像，电子发射方 [2－4] [5] [6] 向性好，能散度低（0.2～0.3eV），寿命长 。2000 年，Saito 等 和Jonge 等 制作了面 2 -8 积为 2mm 的CNT 冷阴极，在 10 torr的真空度中，以 1.3V/m 的低电场强度，获得 100 A 的发射电流，并展示了超过 8000 小时的寿命。Senda 等[7]研制出微焦点的超迷你 X 射线管， 直径仅为 5mm，焦点尺寸小于 100 m，在 10～15kV 的高压下，能够维持 50 A 的电流，并 在10-5 Pa的中真空度有大于100小时的寿命。其对肿瘤细胞的杀伤性与传统X射线管相同， 可以应用在植入性放疗中。 在平面显示方面，Saito等[8]于 1998年成功用 CNT 冷阴极替换传统 CRT 的热电子阴极, 发射电流可达到 200 A，是传统 CRT 阴极电子束流强度的两倍，而且由于阴极不需加热， 能量转换率比传统 CRT 高，该产品已由 ISE 公司推向市场[9]。三星公司于 2001 年展示了基 [10] 于CNT冷阴极的9英寸彩色显示器，其发光效率高，亮度大，色彩品质与CRT显示器相同 。 虽然人们已经利用 CNT 场发射阴极材料取得一系列研究成果，但如何制造稳定可靠， 满足大电流高电压使用条件的 CNT 冷阴极仍然是个难点。在Ｘ射线管方面，虽然美国的 Xinray 公司已经能够提供基于 CNT 冷阴极技术的固定阳极靶