第二章 几种典型的晶体生长方法 具有较高的完整性,包括结构完整性和 组成完整性等; 具有可控的生长规律和生长习性; 在适当的环境和设备条件下,可合成出 具有较高实用价值或满足特定需要的晶体。 合理的驱动力场分布; 驱动力场的稳定、可控; 各生长技术参数的良好匹配; 精确配料和必要、合理的热处理; 力求避免各种形式的污染; 选择何种生长技术,取决于晶体的物理、化学性质和应用要求。一般原则为: ? 满足相图的基本要求; ? 有利于快速生长出具有较高实用价值、符合一定技术要求的晶体; ? 有利于提高晶体的完整性,严格控制晶体中的杂质和缺陷; ? 有利于提高晶体的利用率、降低成本。生长大尺寸的晶体始终是晶体生长工作者追求的重要目标; ? 有利于晶体的后加工和器件化; ? 有利于晶体生长的重复性和产业化; §⒈ 溶液法生长 溶液法的基本原理是将原料(溶质)溶解在溶剂中,采取适当的措施造成溶液的过饱和状态,使晶体在其中生长。包括有水溶液法、水热法与助熔剂法等。 水溶液法一般是在常压和较低温度(100℃以下)下进行。 ⑴ 溶剂的选择 对溶质有足够大的溶解度,一般要求在10%~60%范围内。(“相似相溶”规律) 合适的溶解度温度系数。 有利于晶体生长。生长的难易程度与溶质在晶体中
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