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第 10 卷 第 3 期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1.10,No.3
2012 年 6 月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Jun.,2012
文章编号: 1672-2892(2012)03-0355-04
一种单粒子翻转机制及其解决方法
王 亮,岳素格,孙永姝
(北京微电子技术研究所 抗辐射加固工程中心,北京 100076)
摘 要 :针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC) 出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异
常翻转的机制,针对这种机制提出了 2 种解决方法,并给出了 2 种解决方法的适用范围。重离子
试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的翻转截面,基于新方法
研制的 ASIC 产品的抗单粒子翻转能力得到显著提高。
关键词 :单粒子翻转
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