位错形态与GaN外延薄膜电阻率之间的关系.pdf

第34卷摇 第12期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾12 2013年12月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Dec. ,2013 文章编号:1000鄄7032(2013)12鄄1607鄄06 位错形态与GaN外延薄膜电阻率之间的关系 1,2 1,2 * 1,2 1,2 1,2 * 甄慧慧 ,鲁摇 麟 ,刘子超 , 尚摇 林 ,许并社 (1. 太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西 太原摇 030024; 2. 太原理工大学 新材料工程技术研究中心,山西 太原摇 030024) 摘要:利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),通过改变生长过程中成核层退火阶段的反应室压力,在蓝宝