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1-5-1 介电、压电、铁电陶瓷 在居里温度时,其介电常数呈现极大值,超过居里温度时,其介电常数随温度的变化遵循居里-外斯定律。 一般 小于1，在居里点附近可忽略不计，则有： 遵从居里-外斯定律——直接型 不遵从居里-外斯定律——间接型 压电晶体存在于20种非中心对称的晶体中； 热释电晶体存在于10种极性晶体中； 铁电晶体存在于热释电晶体中自发极化可随外加电场反向的晶体。 铁电体的应用 铁电性、压电性、热释电性的关系 一、半导体陶瓷的电导 1-5-2 半导体陶瓷 半导体陶瓷从组成来看，大多为金属氧化物及其含氧酸盐，从结构来看大多为多晶体或多相体，主晶相一般为半导体，而晶界相可以是半导体或绝缘体，晶界势垒所产生的电阻通常比单晶颗粒内部电阻高得多。由于晶界处电子态的不同而形成空间电荷层，造成能带弯曲，产生势垒。势垒的高度可以通过调整组分、掺杂、制作工艺等进行适当的控制。 半导体陶瓷的电导率可以用下式表示： 式中σ为半导体陶瓷的电导率，σe、σp分别为自由电子和自由空穴产生的电导率， ne、np分别为自由电子和自由空穴产生的浓度，μe、 μ p分别为电子和空穴的迁移率，q为电子或空穴的电荷。 对本征半导体陶瓷，其载流子浓度为： h为普朗克常数， 和 分别为电子、空穴的有效质量；Eg为禁带宽度。 1-5-2 半导体陶瓷 对于掺杂半导体陶瓷，在杂质电离的情况下，其载流子浓度可表示为： 式中ND为施主浓度，ED为施主电离能。NC为导带的有效状态密度。 对N型半导体陶瓷， 对P型半导体陶瓷， 式中NA为受主浓度，EA为受主电离能。NV为价带的有效状态密度。 1-5-2 半导体陶瓷 如果只考虑一种载流子时，半导体陶瓷中电子和空穴的迁移率可统一表示为 式中 为载流子的弛豫时间，m*为载流子的有效质量。 一般情况下可以忽略温度对载流子迁移率的影响,可把半导体陶瓷的电导率表示为 式中A为相关常数， 称为材料常数。 1-5-2 半导体陶瓷 1-5-2 半导体陶瓷 一些具有尖晶石结构的半导体陶瓷来说，其迁移率与温度有明显的指数关系， 对于这种迁移率随温度呈指数变化的现象，可用所谓“跳跃导电”的模型来解释，跳跃导电模型是一种局部电子传导机构，局限在一个原子（或离子）周围的电子可以通过隧道效应或热激发跳跃到邻近原子（或离子）周围， （对原子） （对离子） e e 跳跃势垒模型示意图 1-5-2 半导体陶瓷 1-5-2 半导体陶瓷 晶界势垒的电阻率： 由于表面态的存在，以及在晶粒边界上杂质的吸附，形成施主态（N型）和受主态（P型），会在晶粒边界引起空间电荷和界面势垒。当对其施加电场时，空间电荷会在电场的作用下发生漂移，结果导致晶界势垒的高度发生变化，而此时材料的宏观电导还受晶界势垒的电特性影响。显然，由于外界电场使势垒升高时，材料的电导率将下降，反之势垒高度下降时，材料的电导率增加。 势垒的高度可以通过调整组分、掺杂、制作工艺等进行适当的控制，改变其电特性。 1-5-2 半导体陶瓷 BaTiO3半导体陶瓷为例： 假设φ0为能量提高后的表面势，则表面势垒为Φ0=eφ0。在半导体内部，其泊松方程为 式中ρ为空间电荷密度,ε为材料的介电系数，求解泊松方程可得 式中nD为有效施主浓度，b为空间电荷层厚度，ns为表面受主态被电子占有的密度。 电子越过势垒Φ0而导电的电阻率为 式中ρv为材料的体电阻。 1-5-2 半导体陶瓷 在实际应用中，如何来调整半导体陶瓷材料的电阻呢？ 归结起来，主要有两个方法： （1）利用掺杂。掺入的杂质原子（离子）起施主还 是受主的作用取决于杂质原子（离子）在晶格 中的位置。一般高价金属掺杂起施主作用，低 价金属掺杂起受主作用。 （2）利用化学计量比偏离：产生空位，间隙原子等 缺陷，例如Vx、Mi、VM等，其中Vx、Mi电离提供 电子，VM电离提供空穴。 1-5-2 半导体陶瓷 二、典型的半导体陶瓷 热敏半导体陶瓷是利用材料的电阻随温度的变化。 光敏半导体陶瓷能吸收某些波长（或能量）的光，而在半导体陶瓷内产生光生载流子，使材料的电导变化，通常称为光电效应。 气敏半导体陶瓷的电阻在一定的温度下会随环境中某些气体而变化。 湿敏半导体陶瓷的电阻随环境湿度变化而变化。 知识点 1.名词解释： 压电效应 正压电效应 逆压电效应 热释电效应 2.问答题： 1）电介质中通常会产生哪几种极化方式，简要说明。 2）分析石英晶体各个轴向产生压电效应的机理。 3）在实际应