微电子器件与IC设计CH6-1MOSFET.pptx

第六章 · MOSFET;BJT和FET的比较;第六章 MOSFET;6.1 MOS结构及其特性;理想MOS结构;半导体表面的几种状态;B. 积累态;C. 耗尽态;D. 强反型;C. 弱反型;半导体表面电子和空穴浓度;MOS电容;MOS电容C-V曲线;5.2 MOSFET结构及工作原理;;MOSFET基本类型;MOSFET的基本特性 MOSFET中源极接点作为电压的参考点．当栅极无外加偏压时， 源极到漏极电极之间可视为两个背对背相接的p-n结，而由源极流 向漏极的电流只有反向漏电流． 当外加一足够大的正电压 于栅极上时， MOS结构将被反 型，以致于在两个n+ 型区域之 间形成表面反型层即沟道．源 极与漏极通过这一导电的表面n 型沟道相互连结，并可允许大 电流流过．沟道的电导可通过 栅 极 电 压 的 变 化 来 加 以 调 节．衬底接点可连接至参考电 压或相对于源极的反向偏压， 衬底偏压亦会影响沟道电导．;一、输出特性 当在栅极上施加一偏压，并在半导体表面产生反型．若 在漏极加一小的电压，电子将会由源极经沟道流向漏极(对应 电流为由漏极流向源极)．因此，沟道的作用就如同电阻一 般，漏极电流ID与漏极电压成比例，此即如图(a)右侧恒定电 阻直线所示的线性区．;半导体表面强反型形成导电沟道时，沟道呈现电阻特性，当 漏-源电流通过沟道电阻时将在其上产生电压降。若忽略其它电 阻，则漏端相当于源端的沟道电压降就等于漏-源偏置电压VDS。由 于沟道上存在电压降，使栅绝缘层上的有效电压降从源端到漏端逐 渐减小，降落在栅下各处绝缘层上的电压不相等，反型层厚度不相 等，因而导电沟道中各处的电子浓度不相等。当漏极电压持续增 加，直到漏端绝缘层上的有效电压降低于表面强反型所需的阈值电 压VT时，在靠近y=L处的反型层厚度xi将趋近于零，此处称为夹断点 P，如图(b)。 此时的漏-源电压称为饱和 电压VDsat。超过夹断点后，漏极 电流基本上维持不变，因为当 VDVDsat时，在P点的电压VDsat保 持固定。;沟道被夹断后，若VG不变，则当漏极电压持续增加时，超过夹 断点电压VDsat的那部分即VDS-VDsat将降落在漏端附近的夹断区上， 因而夹断区将随VDS的增大而展宽，夹断点P随之向源端移动，但由 于P点的电压保持为VDsat不变，反型层内电场增强而同时反型载流 子数减少，二者共同作用的结果是单位时间流到P点的载流子数即 电流不变。一旦载流子漂移到P点，将立即被夹断区的强电场扫入 漏区，形成漏源电流，而且该电流不随VDS的增大而变化，即达到饱 和。此即为饱和区，如图(c)所示．当然，如果VDS过大，漏端p-n结 会发生反向击穿。;二.MOSFET基本工作原理（以n沟增强型为例）;二. MOSFET特性曲线;;5.3 MOSFET阈值电压;MOS结构中的电荷分布;表面总面电荷密度;理想MOS阈值电压;理想MOS阈值电压;实际MOSFET阈值电压;实际MOSFET阈值电压;影响MOSFET阈值电压的因素分析;衬偏压对阈值电压的影响;2. 栅电容Cox的影响;3.功函数差?ms的影响;表5－2 金属功函数;表5-3 半导体功函数（? ,? ）;4.衬底杂质浓度的影响;5.氧化膜中电荷的影响;6.漏源电压的影响;影响阈值电压的因素;精确控制集成电路中各MOSFET的阈值电压，对可靠的电路工作 而言是不可或缺的．一般来说，阈值电压可通过将离子注入沟道区 来加以调整．;例1：对一个NA＝1017cm-3与Qf/q＝5×1011cm-2 的n沟道n+多晶硅-SiO2-Si的 MOSFET而言，若栅极氧化层为5nm，试计算VT值．需要多少的硼离子剂量方 能使VT增加至0.6V?假设注入的受主在Si-SiO2界面形成一薄电荷层．;也可以通过改变氧化层厚度来控制VT．随着氧化层厚度的增加，n 沟道MOSFET的阈值电压变得更大些，而p沟道MOSFET将变得更小些．对 一固定的栅极电压而言，较厚的氧化层可轻易地降低电场强度. 例2：若例1中的栅氧化成厚度增加为500nm，其VT=?;功函数差和衬底偏压亦可用来调整阈值电压．因衬底偏压所导;;;氧化物电荷;界面陷阱电荷Qit是由SiO2-Si界面特性所造成，且与界面处的化 学键有关．这些陷阱位于SiO2-Si界面处，而其能量则位于硅的禁带 中。这些界面陷阱密度(即单位面积、单位能量的界面陷阱数目)与 晶体方向有关．在＜100＞方向，其界面陷阱密度约比＜111＞方向 少一个数量级. 目前在硅基上采用热氧化生成 二氧化硅的MOS二极管中所产生的 大部分界面陷阱，可用低温450℃ 的氢退火加以钝化．在＜100＞方 向的Qit/q值可以小于1010cm-2,大约 为每105 个表面原子会存在一个界 面陷阱电荷.在＜111＞