微电子器件与IC设计CH6-2MOSFET直流特性.pdf

6.4 MOSFET 直流特性直流特性 直流特性直流特性 6.4.1 萨支唐方程 （ 以n沟道MOSFET 为例） 一. 理想模型： ①源、漏区欧姆接触压降及体压降可忽略； ②反型层中 μ 为常数；③沟道电流为漂移电流； n ④源/漏、沟道与衬底之间反向电流为零； ∂E ∂E ⑤ E 与E 无关，且E E x ＞＞ Y，即缓变沟道近似 X Y x y ∂x ∂Y (适用于长沟道，表示衬底表面耗尽区中所包含的电荷量仅 由栅电压产生的电场感应所生成）； 6 ）耗尽层电荷密度Q 为常数； B 7 ）沟道均匀掺杂； 8 ）一维近似，只考虑I沿y 向的变化 9 ）强反型近似，φ ≥ 2φ ，反型沟道形成。 S F 沟道y处半导体表面感应电荷面密度：Q (y )= Q (y) + Q (y) S n B 半导体表面开始强反型时y处表面势：VS ＝V(y) + 2φF 半导体表面开始强反型时栅极电压：VGS = VFB + VOX +VS 强反型条件：V = V －Q (y) ／C + V(y) + 2φ GS FB S OX F 强反型y处感应电荷：Q (y)=－C (V －V(y) －2 φ －V ) S OX GS F FB  Q  y处反 Q y = Q y − Q y = −C V − V y − 2φ − V + Bmax n ( ) S ( ) B ( ) OX  GS ( ) F FB  C 型层电  OX  = −C V − V y − V  子电荷: OX  GS ( ) T  xinv dV I y = J x, yds = qn x, y (− ) ⋅Wdx n ( ) ∫ ( ) ∫0 ( ) n dy 沟道电流： dV xinv dV = − W qndx= − WQ y n dy ∫0