MCS-51单片机原理及应用技术教程第6章MCS-51单片机系统扩展.pptVIP

8255的内部结构 3个并行I/O端口 A口： 8位输入输出或双向口。 B口： 8位输入输出口。 C口：8位输入输出口，也可分为两个4位口，还可以作为A口、B口选通方式操作时的状态控制信号。 数据缓冲器 双向三态的8位数据缓冲器，用于和单片机的数据总线相连。 端口选择及读/写控制逻辑 用于管理所有的控制字、状态字和数据的传送。 A组和B组控制电路 由控制字控制3个并行I/O端口的工作方式。 P2.0 P2.1 P2.2 WR P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 P0.4 P0.5 P0.7 P0.6 18 17 14 13 8 7 4 3 19 16 15 12 3 9 6 5 2 4 5 6 7 8 9 10 27 21 24 25 19 18 17 16 15 13 12 11 20 29 30 16 23 22 21 32 33 34 35 36 37 38 39 1 11 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 Q2 Q1 Q0 WE A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 OE ALE PSEN G OE GND GND 28 14 20 VCC GND CE EA 31 GND 8031 2817A 2K×8 74LS373 RD 17 P1.0 1 2 3 1 RDY/BUSY 1 74LS08 +5 V +5 V 3 k W 6.3 数据存储器扩展 MCS-51单片机内部有128B个字节的RAM，当系统需要较大容量RAM时，就需要片外扩展数据存储器RAM，最大扩展64KB。 由于单片机是面向控制的，实际需要扩展容量不大。因此一般采用静态RAM较方便，如6116(2KB)、6264(8KB)、62256(32KB)等。与动态RAM相比，静态RAM无须考虑保持而设置的刷新电路，故扩展电路简单。 扩展数据存储器空间地址同外扩程序存储器一样，由P2口提供高8位地址，P0口分时提供低8位地址和用作8位双向数据总线。 片外RAM的读/写由单片机的RD(P3.7)WE(P3.6)信号控制，而片外程序存储器EPROM的输出允许端OE由单片机读选通信号PSEN控制。尽管与EPROM共处同一地址控制，但由于控制信号及使用的数据传送指令不同，故不会发生总线冲突。 6.3.1 常用数据存储器芯片介绍 常用的数据存储器半导体静态随机存取存储器（SRAM）是Intel公司的6116和6264、62256 等。 引脚 工作方式 6116 6264 62256 存储容量 2KB 8KB 32KB 读写时间 200 ns 200 ns 200 ns 工作电压 5 V 5 V 5 V 典型工作电流 35 mA 40 mA 8 mA 典型维持电流 5 mA 2 mA 0.5 mA 封装 DIP24 DIP28 DIP28 数据存储器的地址线、数据线、片选线功能和EPROM、E2PROM类似，数据存储器需要与CPU进行双向数据传输，所以需要读/写控制线WE和OE。 A14 1 A12 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 D0 11 12 13 GND 14 15 D4 16 D5 17 D6 18 D7 19 CE 20 A10 21 OE 22 A11 23 A9 24 A8 25 A13 26 WE 27 Vcc 28 62256 D1 D2 D3 1 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 D0 11 12 GND D4 D5 13 D6 14 D7 15 CE 16 A10 17 OE 18 WE 19 A9 20 A8 21 22 23 Vcc 24 6116 D1 D2 D3 NC 1 A12 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 D0 11 12 13 GND 14 15 D4 16 D5 17 D6 18 D7 19 CE1 20 A10 21 OE 22 A11 23 A9 24 A8 25 CE2 26 WE 27 Vcc 28 6264 D1 D2 D3 SRAM工作方式 引 脚 工作方式 I/O7～I/O0 未选中 H X X 高阻 输出禁止 L H H 高阻 读出 L L H DOUT 写入 L H L DIN 6.3.2 访问外部数据存储器的读/写操作时序 读片外RAM操作时序 单片机与外部RAM交换数据时，只能使用MOVX类指令，这类指令能产生读/写信号。 在执行“MOVX A,＠DPTR或MOVX