电力电子作业课件.docVIP

作业 1 1.1 指出常用器件可达的功率与频率能力 SCR , GTO, IGBT , MOSFET, 功率能力 :SCR(10MW)GTO(MW)IGBT(百 KW)MOSFET(10KW) 频率能力 :MOSFT(百 KHz)IGBT(10KHz)GTO(1KHz)SC几R(百 Hz) 1.2 一 SCR需承受电流平均值 100A, 电压峰值 300V, 选择其电流电压定额 电压定额 UTIT(AV)：2*300V=600V 电流定额 IT(AV)：1.5*100A=150A 1.3 简述 SCR正常导通条件 , 非正常导通条件 正压,门极触发 ; 过压,过电压上升率 ,过温 1,4 简述变流器件常用工作状态与损耗种类 . 工作状态：通态、断态、开关状态 损耗种类：稳态损耗：通态损耗、断态损耗 动态损耗：开通损耗、关断损耗 作业 2 2.1 简述器件驱动信号基本要求 足够的幅度、陡度、宽度 及良好的可靠性、抗扰性、电气隔离性。 2.2 简述 MOSFET、IGBT常用开通与关断正压 . MOSFET常用开通电压为 10~15V,关断电压为 -5~-15V IGBT常用开通电压为 15~20v，关断电压为 -5~-15V 2.3 SCR器件串联并联有何作用 ,有何问题 ,如何解决 增大电压电流容量 ;均压均流 ;选择件同参 ,并均压电阻 ,串均流电抗 2.4 简述变流设备常用过压过流保护装置、元件。 过压保护装置、元件：避雷器、缓冲电路、 RC 过电压抑制电路、反阻断式 RC 电路、雪崩 二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管等。 过流保护装置、元件：快速熔断器、直流快速断路器、过电流继电器 思考判断题 1 开关器件 主要工作在开关状态 , 关断比导通容易 ( - ), 断态损耗比通态损耗大 ( -).高频时开关损耗 比通态损耗大 (+). 按容量能力是 SCR FET IGB（T -）; 按频率能力比较是 SCR FETIGB（T -）. SCR,FET为电流驱动 ( - ), IGBT为电压驱动 (+). 器件串联目的是增大电压容量 ( + ), 问题是均流 ( -)。 晶闸管 正常导通条件是：正压（ +）、阳极加触发（ -）、阳极电流足够小（ - ），导通后不再需要 触发(+) 。 过热会误导通 ( + ),不过压不过热则不会误导通 ( - ) 保护 开关器件常串联 RC(D)电路用于开关缓冲 (-) 线路并压敏电阻可防变流设备过流（ - ）; 线路串熔断器可防过压（ -）。 作业 3 3.1 单相全控桥 :U2=220V, R=5 Ω, a=60 (1)画 ud,id,i2；计算 Ud，Id Ud=0.9U2 [cosα+1]/2=0.9*220*(cos60 +1)/2=148.5V Id=Ud/R=148.5V/5 Ω=29.7A (2)加串大 L,画 ud,id,i2 ；计算 Ud，I d，I2。 Ud=0.9*220cosα=0.9*220*cos60 =99V; Id=Ud/R=99V/ 5Ω=19.8A (3)接（2）：Idm=50A,选管电压电流定额。 电流定额 IT(AV)=1.5*Idm/2=1.5*50/2A=37.5A 电压定额 UT=2* √2*U2=2*1.414*220=622.16V; (1) (2) 3.2 三相全控桥 U2=110V, L极大,Rx=0.1Ω,R=0.5Ω (1) 画等效电路 (2) α=60° , 反电势 Em=100V,求: (a)Id,Ud,γ*;输出功率 P;功率因数 .(b)画 ud,id Udα=2.34*U2cosα=2.34*110*cos60 =128.7V; Id=(Udα-Em)/(Rx+R)=(128.7-100)/(0.1+0.5)A=47.8A Ud=Udα-Rx*Id=(128.7-0.1*47.8)V=123.9V, P=Ud*Id=123.9*47.8=5.92KW; λ=0.955cosα=0.955*cos60 =0.4775 (3) α=120° ,反电势 Em= -140V,求: (a)Id,Ud,γ*; 输出 P,功率因数 λ; (b)画 ud,id Udα=2.34*U2cosα=2.34*110*cos120 =-128.7V; Id=(Udα-Em)/(Rx+R)=(-128.7-(-140))/(0.1+0.5)A=18.8A Ud=Udα-Rx*Id=(-128.7-0.1*18.8)V=-130.6V, P=Ud*Id=-130.6*18.8=-2.5KW; λ=0.955cosα=0.955*cos120 =-0.4775 (4)Idm=100A,选管电压电流定额 电流定额 IT(AV)=1.5*Idm/