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系列
通过超结技术实现
高效化、小型化
通过使超结构造的掺杂层浓度达到最佳 ,相较于旧型产品 (Super J MOS® S1 系列 ),在元件耐压及导通电阻的权衡上做了
大幅改善。此外 ,还将关断功耗和关断dv/dt的权衡特性与旧型产品维持在同一水平 ,由此兼顾了低功耗和低噪声特性 ,
有助于实现电源的高效化、小型化。
· 实现高效电源 :门极电荷量 (QG )及输出充放电功耗(EOSS )
比过去约减少 30%
· 实现小型化封装 :导通电阻 (RDS(on)·A )比过去约减少 25%
· 抑制关断时的峰值电压
· S2FD 系列 :内置二极管的反向恢复时间 (t rr ) 封装: TO-252, TO-220F/220,
TO-3P, TO-247
比标准型 (S2 系列 )约缩短 50%
用途示例:伺服器、通信机器、LED 照明、
UPS、功率调节器、通用电源、
Super J MOS® 是富士电机的注册商标。 EV 用快速充电器等
MTET0-3109a-CN
1. 门极电荷量 (QG)、输出充放电功耗 (Eoss )比过去约减少30%, 实现电源的高效率
电源效率比较
]
%
[
)
准
基
1
S
(
差
率
效
输出功率 [W] 输出功率 [W]
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