IGBT基本参数详解讲解.doc

第一部分 IGBT模块静态参数 1，VCES 在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VCES会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时VCES 2，Ptot 在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。 P 其中，TVj为结温，T 在这里，顺便解释下这几个热阻， Rthjc Rthja Rthjb 3，Ic nom 在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由最大耗散功率算出该值。所以给出一个额定电流，必须给出对应的结和外壳的温度。 Ic nom 4，Icrm 规定的脉冲条件下，可重复的集电极峰值电流。 5，RBSOA，反偏安全工作区 IGBT关断时的安全工作条件。如果工作期间的最大结温不被超过，IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。 6，ISC 短路时间不超过10us。请注意，在双脉冲测试中，上管GE之间如果没有短路或负偏压，就很容易引起下管开通时，上管误导通，从而导致短路。 7，VCESat VCESat在额定电流条件下给出，Infineon的IGBT都具有正温度效应，适宜于并联。VCESat随集电极电流增加而增加，随着 VCESat V R 计算时，切线的点尽量靠近工作点。对于SPWM方式，导通损耗由下式获得， P= M为调制因数；IP为输出峰值电流；cosφ 第二部分 IGBT模块动态参数 1，RGINT 为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了栅极电阻，该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力。 2，RGext 数据手册中往往给出的是最小推荐值，可以通过以下电路实现不同的RGon 和R IGBT驱动器需达到的理论峰值计算如下， I 最小的RGon由开通di/dt限制，最小的RGoff由关断 3，Cge 高压IGBT一般推荐Cge 4，IGBT寄生电容参数 输入电容Cies及反馈电容Cres（米勒电容）是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容COSS限制开关转换过程的dv/dt C C C CGE随着VCE变化近似为常量，而CCE 接下来深度剖析一下米勒效应 IGBT的输入电容，C 其中CGE由栅极和发射极之间绝缘介质决定，是恒定常数；CGC= Cox+Cdep，Cox为栅极、集电极电容，由栅极和基区之间绝缘介质决定，为常数；Cdep为耗尽层电容，与耗尽层宽度有关，决定于VCE。在开通过程中，集电极电压VCE逐渐降低，耗尽层宽度降低，Cdep增大；当耗尽层消失，Cdep 上述的Cres即为米勒电容，当IGBT在开关时，会由于寄生米勒电容而产生米勒平台，即米勒效应。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响非常明显，基于G、C间的耦合，IGBT关断瞬间会产生很高的瞬态du/dt，从而引发V 如下图所示，当上管关断时，产生du/dt加到下管的米勒电容上，就会产生较大的电流，这个电流流经下管的驱动电路，使下管VGE 减缓米勒效应的办法， （1）独立的门极开通和关断电阻 通过减小RGoff （2）通过在G、E间增加电容吸收米勒电容的电流，想想都不靠谱！！ （3）增加负向偏压（显然是一种很有效的方法，不解释）。 （4）有源钳位（实际上就是短路） 5，QG 可用来优化栅极驱动电路设计， 驱动电流的平均值， I 平均功率 P P 6，开关损耗 这些参数强烈地依赖于栅极驱动电路、电路布局、栅极电阻、母线电压和电流等。 7，结温、热阻和温升 （1）结温是处于电子设备中实际半导体芯片的温度，通常高于外壳温度和器件表面温度，结温可以用以下公式来估计， T （2）热阻，热量在热流路径上遇到的阻力，表明1W热量引起的温升大小，单位℃/W，或k/W。用一个简单的类比可以更好地解释热阻，热量相当于电流，温差相当于电压，则热阻相当于电阻。热阻有如下公式成立， T 上式是在假设散热片足够大且接触良好的情况下成立的，否则还应写成， T Rthcs表示壳到散热片的热阻，R 参照以下例子使用热阻， IHW40N120R3数据手册中给出25℃下耗散功率429W，而Rthjc=0.35K/W T （3）瞬态热阻抗zth与热阻 热阻描述了IGBT在稳定状态下的热行为，而热阻抗描述了IGBT瞬态或者短脉冲下的热行为。大部分IGBT实际应用是以一定的占空比进行开关动作，这种条件下，需要热阻加热容的方法描述其等效电路。 以一定占空比（D）的连续脉冲工作状态下的瞬态热阻，Sthjc z z C 第三