硅片-加工倒角.pptVIP

1) 硅片的热处理的意义 意义： (1) 降低硅片内部氧原子的施主效应。 (2) 消除硅片的内应力。 处理对象：主要针对直拉法生长的本征硅，（非重掺杂），切割出的硅片。 杂质对象：硅片中的氧原子O 工艺参数：温度、时间。 2) 硅片热处理的过程 (1) 器材的处理。 (2) 热处理步骤。 器材处理 器材：石英管、石英舟、氧化炉/扩散炉、钢瓶（Ar、N2） 目的：清理石英管和石英舟的表面杂质。 方法： 氢氟酸稀溶液浸泡，2小时。 水冲洗。 650℃下，保护气氛中煅烧2小时。 稀酸配比 HF : H2O = 1 : 10 热处理工艺过程 准备工作 装片 入炉 恒温 出炉 准备工作：检查核实硅片，开启室内排风和冷却水，调节保护气体流量，炉温升高到650℃待用。 装片：带上手套，将硅片放入石英舟。 入炉：将石英舟放在路口，用石英棒将其沿石英管推进，并到恒温区。 恒温：温度设置在650℃±20 ℃，恒温处理30～40min，避免形成过多新施主。 出炉：用石英棒将石英舟拉至炉口，并取出。 炉体 石英管 进气 N2或Ar 排气 加热棒 恒温区 3) 直拉法硅中的氧 来源：直拉法中，坩埚中的O，在Si熔融阶段进入Si熔体，在提拉阶段留在硅晶体内部。 分布：硅锭头部含量高，对硅片，中心含量高，边缘降低。 原子位置：晶格空隙（同一氧浓度处，均匀掺杂）。 O浓度：典型原子浓度(1～