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16、腐蚀接触孔 P SUB 开引线孔采用先湿后干的两步工艺以利于 AL在孔内的台阶覆盖。 BPSG Si SiO2 PR Poly N+ 17、刻蚀接触孔 开引线孔采用先湿后干的两步工艺以利于 AL在孔内的台阶覆盖。 P SUB BPSG Si SiO2 PR Poly N+ 18、去胶 去胶工艺：干法去胶（1）+湿法去胶（2） P SUB BPSG Si SiO2 PR Poly N+ 19、溅射铝 采用 AlSiCu 溅射。 用作各晶体管之间的联线。 P SUB Al BPSG Si SiO2 PR Poly N+ 20、光刻铝 定义铝线区域。 P SUB Al BPSG Si SiO2 PR Poly N+ 21、刻蚀铝 P SUB Al BPSG Si SiO2 PR Poly N+ 22、去胶 去胶工艺：干法去胶（2） P SUB Al BPSG Si SiO2 PR Poly N+ 23、Si3N4钝化 作为器件的保护层。 P SUB Pad Al BPSG Si SiO2 PR Poly N+ 24、合金，门检验，待PVM 合金步骤是实现金属化的过程，对于器件的稳 定性有良好的促进作用。 合金步骤还助于消除在物理工艺过程中产生的 电离陷阱，积累电荷的因素。 Process Flow Photo Resist Th