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2）化学气相沉积 化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。 从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。 沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。 化学气相沉积的优点 准确控制薄膜的组分和掺杂水平 可在复杂的衬底上沉积薄膜 不需要昂贵的真空设备 高温沉积可改善结晶完整性 可在大尺寸基片上沉积薄膜 例子：硅的气相外延生长 将硅衬底在还原性气氛中加热，并输入硅源气体，使之反应，生成硅原子沉积在衬底上，长出具有与衬底相同晶向的硅单晶层。 主要参数：衬底温度，源气体流量和载气流量 衬底温度影响对外延层的晶体完整性和生长速度； 源气体流量影响生长速度； 载气流量影响外延层厚度的均匀性； 硅源 性质 SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH4 常温常压 液体 液体 气体 气体 沸点 57.1 31.7 8.2 －112 分子量 169.9 135.5 101.0 32.1 Si含量 16.5 20.7 27.8 87.5 最佳生长温度 1150 1100 1050 1000 生长速度 小 中 大 中 空气中反应 冒烟 冒烟 着火 着火 高温热分解 小 小 中 大