传感器与检测技术第7章 霍尔式传感器及应用 .pptVIP

3.无触点开关 霍尔式无触点开关的每个键上都有两小块永久磁铁，当按钮未按下，通过霍尔传感器的磁力线是由上向下的。 当按下按钮时，通过霍尔传感器的磁力线是由下向上的。 霍尔传感器输出不同的状态，将此输出的开关信号直接与后面的逻辑门电路连接使用。 这类键盘开关工作十分稳定可靠，功耗很低，动作过程中传感器与机械部件之间没有机械接触，使用寿命特别长。 * * 第7章 霍尔式传感器及应用 * * 引言 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。 1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应，但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。 随着半导体技术的发展，开始用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。 * * 主要章节 7.1霍尔效应及霍尔元件 7.2霍尔传感器实用电路 * * 7.1霍尔效应及霍尔元件 金属或半导体薄片置于磁感应强度B的磁场（磁场方向垂直与薄片）中，当有电流I通过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH，这种物理现象称为霍尔效应。该电势UH 称霍尔电势。 7.1.1 霍 尔 效 应 * * 霍尔效应原理 一块长为L、宽为W、厚为d的N型半导体薄片，位于磁感应强度为B的磁场中，B垂直于L-W平面，沿L通电流I，N型半导体的载流体-电子将受到B产生的洛仑兹力FB的作用 * * 在力FB的作用下，电子向半导体片的一个侧面偏转，在该侧面上形成电子的积累，而在相对的另一侧面上因缺少电子而出现等量的正电荷。在这两个侧面上产生霍尔电场EH。该电场使运动电子受有电场力FE * * 电场力阻止电子继续向原侧面积累，当电子所受电场力和洛仑兹力相等时，电荷的积累达到动态平衡，由于存在EH，半导体片两侧面间出现电位差UH ，称为霍尔电势 * * 磁场与薄片法线夹角为? * * 常用的霍尔元件材料 锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。 * * 常用国产霍尔元件的技术参数 参 数 名 称 符号 单位 HZ-1型 HZ-2型 HZ-3型 HZ-4型 HT-1型 HT-2型 HS-1型 材料（N）型 Ge（111） Ge（111） Ge（111） Ge（100） InSb InSb InAS 电阻率 ? ?·cm 0.8～1.2 0.8～1.2 0.8～1.2 0.4～0.5 0.003～0.01 0.003～0.05 0.01 几何尺寸 L×b×d mm3 8×4×0.2 4×2×0.2 8×4×0.2 8×4×0.2 6×3×0.2 8×4×0.2 8×4×0.2 输入电阻 Ri ? 110±20% 110±20% 110±20% 45±20% 0.8±20% 0.8±20% 1.2±20% 输出电阻 Ru ? 100±20% 100±20% 100±20% 40±20% 0.5±20% 0.5±20% 1±20% 灵敏度 KH mV/(mA·T) 12 12 12 4 1.8±20% 1.8±20% 1±20% 不等位电阻 ro ? 0.07 0.05 0.07 0.02 0.005 0.005 0.003 * * 7.1.2 霍尔元件基本结构 霍尔片、引线和壳体组成 1．霍尔元件的结构 * * 2.霍尔元件的连接 （1）当控制电流为直流输入时，为了得到较大的霍尔输出，可将几块霍尔元件的输出串联。但控制电流必须并联，决不能串联。因为串联起来将有大部分控制电流被相连的霍尔电势极短接。 * * （2）当控制电流为交流输入时，可采用如图连接方式，这样可以增加霍尔输出电势及功率。 * * 7.1.3 霍尔元件主要参数及其误差 （1）乘积灵敏度KH （2）额定控制电流Icm （3）磁灵敏度KB （4）输入电阻Ri、输出电阻R。 （5）不等位电势Uo和不等位电阻Ro （6）寄生直流电势UOD （7）霍尔电势温度系数α （8）工作温度范围 1．主要特性参数 * * 2.霍尔元件的误差及补偿 （1）不等位电势的补偿 不等位电势的大小和极性与控制电流的大小和方向有关 不等位电势的大小和相位随交流控制电流而变 不等位电势与控制电流之间并非线性关系，而且U 0还随温度而变 * * 常用的不等位电势的补偿电路 * * （2）温度补偿 ① 恒流源供电，输入端并联电阻；或恒压源供电，输入端串联电阻 输入端并联电阻补偿 输入端串联电阻补偿 * * ② 合理选择负载电阻 霍尔电势的负载通