称为光电二极管的暗电流.ppt

四. 光探测器 基本概念 在光电器件中,自发发射、受激辐射和受激吸收过程总是同时出现的。但对于各个特定的器件,只有一种机理起主要作用。这三种作用机理对应的器件分别是：发光二极管、半导体激光器和光电二极管。 本讲提要 光电二极管、光电池、光电三极管、光电倍增管、CCD阵列、谐振腔增强型光探测器等(RCE-Resonant Cavity Enhanced) 光探测器的特性。 基本概念 光探测器实现光电信息转换基于光电效应。所谓光电效应，是物质在光作用下释放出电子的物理现象。 对半导体器件，PN结受光照吸收光能后产生载流子，出现PN结的光电效应。利用这些物理现象制成了许多光探测器。在光纤传感系统中使用的有半导体光电二极管、光电池、光电三级管、光电倍增管和电荷耦合阵列。 （一）半导体光电二极管 基本工作原理 当光照到半导体PN结上时，被吸收的光能转变成电能。这一转变过程是一个吸收过程，与前述发光二极管的自然辐射过程和激光二极管辐射过程相反。通常，吸收过程和受激辐射过程是同时存在并互相竞争的。在光电二极管中，吸收过程占绝对优势；而在发光器件中，则辐射过程占绝对优势。 吸收过程占优势的器件有两种工作情况： 当二极管上加有反向电压时，管中的反