半导体制程设备简介作者苏汉儒.PDF

半導體製程設備簡介 作者：蘇漢儒 半導體製程設備簡介 半導體工廠的製程設備區分為五大 項目： 1. 化學及清洗流程設備。 2. 水處理及清洗流程設備。 3. 空調設備。 4. 特殊氣體設備。 5. 作業人員及無塵( 潔淨)室設備。 2 半導體製程的污染源 二種污染源 ，在半導體工廠製程 造成最大的污染問題 。 1. 鈉元素存在人體中，因此作業 人員必須小心操作晶片，減少 晶片受到人體之鈉元素污染。 3 半導體製程的污染源 ( 續) 二氧化矽中的游離離子( 鈉 、金 、和其他元素) 擴散於矽晶 片中，並且沉澱( Precipitate ) 在 晶片中某處。鈉元素會造成元件 的漏電流升高。 4 半導體製程的污染源 2. 某些元素( Certain elements ) 高溫時熔解於矽晶片中，並且 於低溫時沉澱( Precipitate ) 在 非晶格( Non-lattice location ) 的位置，這些元素會干擾正常 的電子及電洞在晶格中流動。 5 半導體製程的污染源 矽晶片受到污染，將無法把污染 物質從矽晶片中完全移除。 因此適當的矽晶片清洗流程是必 要的，不確定是否乾淨的矽晶片 通常先進行矽晶片表面油脂去除 清洗程序( Degrease ) 。 6 矽晶片油脂去除清洗程序 油脂去除清洗流程： 1. 使用三氯乙烯 ，浸泡污染的矽 晶片 。 2. 取出，再使用丙酮或酒精沖洗 矽晶片 。 7 半導體化學及清洗製程簡介 化學及清洗程序的目的： 1. 矽晶片浸泡熱硫酸 ( H2SO4 ) ， 可去除光阻劑或其他物質。 2. 矽晶片浸泡王水( Aqua regia ) ，可溶解黃金及其它金屬。 8 半導體化學及清洗製程簡介 化學及清洗程序的目的： 3. 矽晶片浸泡稀釋的氫氟酸 ( HF ) ，可去除二氧化矽及其 它污染物質。 4. 矽晶片浸泡純水 ，可去除殘 留的酸性化學物質。 9 半導體水處理及清洗製程簡介 水污染來源，區分為： (1) 無機鹽( 鈉、鈣、鹽) 它係 經由岩石 、泥土 、輸水管線 造成污