光纤通信技术_Chapter2.pptxVIP

第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 ;2.1 激光器的物理原理 2.2 半导体激光器－－腔体结构 发布里-珀罗（F-P）谐振腔 布喇格（Bragg）光栅反射器 ;发射光谱主要由光栅周期决定，对应F-P 腔LD 的腔长L ，每一个Bragg周期 形成一个微型谐振腔。由于光栅周期很小，所以m 阶和（m + l ）阶模之间的纵模间隔比F-P 腔大得多； 多个微型谐振腔构成的复合腔的选模作用，很容易设计成单纵模（单频）振荡。 由于每一个周期的栅距，相当于一个F-P干涉仪，也可以理解为，一个多级调谐，使谐振波长的选择性大大提高，谱线明显变窄。并且光栅的作用有助于使发射波长锁定在谐振波长上，使波长的稳定性改善。 结论：布喇格光栅不仅可以实现光反馈，而且提供了精细的频率选择功能，因此在分布反馈DFB激光器和分布布喇格反射DBR激光器中得到应用。;2.2 半导体激光器 光波导的约束 ???益导引 窄的电流通道 高电流密度改变折 射率，建立一个折 射率波导。 折射率导引 通过折射率结构， 建立一个折射率波 导。 目的： 约束横向光束，以减少横模数，尽量获得好的光学质量。水平方向的尺寸远大于垂直方向的尺寸。;2.2.3 半导体激光器的典型分类 1. F-P腔激光器;2.2.3 半导体激光器的典型分类 2. 分布反馈DFB激光器和分布Bragg反射DBR激光器 结构：;2.2.3 半导体激光器的典型分类 2. 分布反馈DFB激光器和分布Bragg反射DBR激光器 优点： 1 波长选择性光栅周期决定。单纵模工作。改变光栅周期 ，选择激光器的发射波长。 2 线宽窄，波长稳定性好 F-P 腔激光器的单模线宽：0 . 1nm~ 0 . 2nm ， 0 . 3nm/ ℃~0 . 4nm/℃ DFB 激光器的线宽：0 . 05nm~ 0 . 08nm， 0 . 08nm/℃ ，2pm/ ℃ with case T。 3 动态单纵模 DFB 激光器：高速调制：单纵模运转，谱线的展宽，包括啁啾，比F-P 腔激光器动态谱线的展宽优越一个数量级左右. F-P 腔激光器：高速调制：多模运转。 4 高线性度 模拟调制（直接调制）的线性度非常好的DFB, 1310nm激光器。在有线电视（CATV ）光纤传输系统中，DFB LD 己经成为不可替代的光源。 5 集成调制 DFB LD 与电吸收调制器（EA ）组合构成电吸收调制光源（EML ），是当今高速光通信主要器件。;2.2.3 半导体激光器的典型分类 3. 量子阱激光器 量子阱（QW）结构：有源区采用量子阱结构的半导体激光器。图2 . 23 所示为各种QW LD 的能带示意图。图中沿垂直方向描述了逐层生长的超晶格半导体材料。图2 . 23 ( a)所示为单量子阱(SQW)结构。有源区只有一个势阱（可以理解为一对势阱，一个放电子，一个放空穴），对应位于中间的超薄层窄带隙材料，两侧边界是由宽带隙材料形成的势垒。由于势阱结构对载流子运动的量子化限制，落入阱中的电子（或空穴）位于一系列分离的能级。其中，接近导带最底部的El 是基态电子能级，接近价带最顶部的E1’ 是基态空穴能级。上述能带特点决定了量子阱激光器即使在较小的注入电流情况下也能在El 和E1’ 之间实现粒子数反转分布，从而产生受激辐射。一般量子阱的宽度在10nm左右。 多量子阱（MQW ) 结构：如果超薄层宽带隙材料与超薄层窄带隙材料交替生长，那么形成多量子阱（MQW ) 结构，如图2 . 23 ( b ）所示。图中示意了由于量子化能级的劈裂而在导带和价带中出现的子能带分布。MQW结构能使光学声子更有效的参与电子跃迁，更能够发挥量子阱激光器的优势。;2.2.3 半导体激光器的典型分类 3. 量子阱激光器;2.2.3 半导体激光器的典型分类 3. 量子阱激光器 多量子阱分布反馈激光器（MQW-DFB）;特点： 阈值电流低： 由于量子阱结构中态密度“浴盆”底部非常平坦，所以很小的注入电流就能获得很大的增益，这种小电流下的大增益是QWLD 的最主要特点之一。QW LD 的阈值电流可以低至亚毫安量级； 波长可调谐：导带和价带中基态间的能级差随势阱宽度而变化，因此通过调整势阱宽度即可改变输出波长，从而达到调谐目的。 线宽窄，频率啁啾低：对激光器进行直接调制时，由于注入电流的变化，引起载流子浓度的变化，继而导致折射率改变，结果使激光频率发生扩展，称为频率啁啾（chirp）。激光器的线宽与频率啁啾都和线宽增强因子a 密切相关，而a 又与有源区的厚度有关，QW LD 的a 可降低为一般F-P 腔激光器的60 ％左右，因此使线宽变窄，频率啁啾得到改善。;调制速率高：采用量子阱结构能够提高器件的微分增益，加大张驰振荡过程的谐振频率，从