光纤通信技术_Chapter2补充半导体激光器.pptVIP

§2 半导体激光器 2.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 1.在一个具有N个粒子相互作用的晶体中，每一个能级会分裂成为N个能级，因此这彼此十分接近的N个能级好象形成一个连续的带，称之为能带，见图(5-23)。 图(5-23) 固体的能带 2. 纯净(本征)半导体材料，如单晶硅、锗等，在绝对温度为零的理想状态下，能带由一个充满电子的价带和一个完全没有电子的导带组成，如图(5-24)。 图(5-24) 本征半导体的能带 3.热平衡时，电子在能带中的分布不再服从玻尔兹曼分布，而服从费米分布，能级E被电子占据的几率为 §2. 半导体激光器 2.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 4价Si＋3价B＝P型半导体，多出来几个空穴，占据了价带的顶部，所占有的能级：受主能级。 仿佛，EF是放置在受主能级上的。P型半导体简并能级。 §2. 半导体激光器 2.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 4价Si＋5价P＝N型半导体，多出来几个电子，易形成自由电子，所占有的能级：施主能级。 仿佛，EF牵护着施主能级上下移动。N型半导体简并能级。 §2. 半导体激光器 2.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 如果在半导体中，注入电流，就会形成在导带中积累电子，而原有的价带中保持相对的空穴数目，形成两个费米能级。这就是非平衡注入电流的结果。双简并能级。 如果，外界的光子经过，使得产生受激辐射和受激吸收，这就是产生激光的根源。 §2. 半导体激光器 2.2 PN结和粒子数反转 平衡时的PN结。 导致能带弯曲。 §2. 半导体激光器 2.2 PN结和粒子数反转 在PN结加上正向电压V，外部电场－eV抵消了自建电场eVD, 使PN结的势垒下降，费米能级分裂，形成双简并能级。 §2. 半导体激光器 粒子数反转 2.2 PN结和粒子数反转 产生受激辐射的条件是在结区的导带底部和价带顶部形成粒子数反转分布。 激光器在连续发光的动平衡状态，导带底电子的占据几率为 价带顶电子占据几率则为 在结区导带底和价带顶实现粒子（电子）数反转的条件是 §2. 半导体激光器 1. 半导体激光器的基本结构和工作原理 图 GaAs激光器的结构 2.3 半导体激光器的工作原理和阈值条件 图示出了GaAs激光器的结构。 2. 半导体激光器工作的阈值条件 激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转还需要满足阈值条件 增益系数和粒子数反转的关系也取决于谐振腔内的工作物质 §2. 半导体激光器 3.半导体激光器的阈值电流 2.3 半导体激光器的工作原理和阈值条件 在一定的时间间隔内，注入激光器的电子总数与同样时间内发生的电子与空穴复合数相等而达到平衡 §2. 半导体激光器 2.4 同质结和异质结半导体激光器 1. 同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 图(1) GaAs激光器的伏安特性 伏安特性: 与二极管相同，也具有单向导电性，如图(1)所示。 阈值电流密度: 影响阈值的因素很多 方向性: 图(2)给出了半导体激光束的空间分布示意图。 图(2) 激光束的空间分布示意图 §2. 半导体激光器 2.4 同质结和异质结半导体激光器 1. 同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 光谱特性:图(5-31)是GaAs激光器的发射光谱。其中图(a)是低于阈值时的荧光光谱，谱宽一般为几百埃，图(b)是注入电流达到或大于阈值时的激光光谱，谱宽达几十埃。 图(5-31) GaAs激光器的发射光谱