单片机原理及接口技术第8章.pptVIP

2．锁存器74LS573 输入的D端和输出的Q端依次排在芯片的两侧，为绘制印刷电路板时的布线提供了方便。 图8-10 74LS573的各引脚说明如下: D7～D0：8位数据输入线。 Q7～Q0：8位数据输出线。 G?：数据输入锁存选通信号，该引脚与74LS373的G端功能相同。 OE*：数据输出允许信号，低电平有效。当该信号为低电平时，三态门打开，锁存器中数据输出到数据输出线。当该信号为高电平时，输出线为高阻态。 8.3 程序存储器EPROM的扩展 采用只读存储器，非易失性。 （1）掩膜ROM 在制造过程中编程。成本较高，因此只适合于大批量生产。 （2）可编程ROM（PROM） 用独立的编程器写入。但PROM只能写入一次，且不能再修改。 （3）EPROM 电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。 （4）E2PROM（ EEPROM） 电信号编程，电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别，只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。 （5）Flash ROM 又称闪烁存储器，简称闪存。大有取代E2PROM的趋势。 目前许多公司生产的以8051为内核的单片机，在芯片内部大多集成了数量不等的Flash ROM。 例如，美国ATMEL公司生产的与51系列单片机兼容的产品89C2051/89C51/89C52/89C55，片内分别有2KB/4KB/8KB/20KB的Flash ROM，来作为EPROM使用。 对于这类单片机，在片内的Flash ROM满足要求的情况下，扩展外部程序存储器的工作就可省去。 8.3.1 常用EPROM芯片 典型芯片是27系列产品，例如， 2764（8KB×8）、27128（16KB×8）、27256（32KB×8）、27512（64KB×8）。 “27”后面的数字表示其位存储容量。 随着大规模集成电路技术的发展，大容量存储器芯片的产量剧增，售价不断下降，其性价比明显增高，而且由于有些厂家已停止生产小容量的芯片，使市场上某些小容量芯片的价格反而比大容量芯片还贵。 所以，在扩展程序存储器设计时，应尽量采用大容量芯片。 1.常用的EPROM芯片 27系列EPROM芯片的引脚如图8-11所示，参数见表8-4（P143，略）。 图8-11中的引脚功能如下： A0～A15：地址线引脚。数目决定存储容量来定，用来进行单元选择。 D7～D0：数据线引脚 CE*：片选输入端 OE* ：输出允许控制端 PGM*：编程时，加编程脉冲的输入端 Vpp：编程时，编程电压（+12V或+25V）输入端 Vcc：+5V，芯片的工作电压。 GND：数字地。 NC：无用端 表8-4所示为27系列EPROM芯片的技术参数，其中VCC是芯片供电电压，Vpp是编程电压，Im为最大静态电流，Is为维持电流，TRM为最大读出时间。 图8-11 2. EPROM芯片的工作方式 5种工作方式如表8-5所示。 （1）读出方式 片选控制线为低,同时输出允许控制线为低，Vpp为+5V，指定地址单元的内容从D7～D0上读出。 （2）未选中方式 片选控制线为高电平。 （3）编程方式 Vpp端加上规定高压, CE*和OE*端加合适电平(不同的芯片要求不同)，就能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。 （4）编程校验方式 （5）编程禁止方式 输出呈高阻状态，不写入程序。 8.3.2 程序存储器的操作时序 1. 访问程序存储器的控制信号 （1）ALE （2）PSEN* （3）EA* 如果指令是从片外EPROM中读取，ALE用于低8位地址锁存，PSEN*接外扩EPROM的OE*脚。 P0口:分时低8位地址总线和数据总线，P2口:高8位地址线。 2. 操作时序 (1) 应用系统中无片外RAM 图8-12(a) (2) 应用系统中接有片外RAM 图8-12(b) 由图8-12(b)可看出： （1）将ALE用作定时脉冲输出时，执行一次MOVX指令就会丢失一个脉冲。 （2）只有在执行MOVX指令时的第二个机器周期期间，地址总线才由数据存储器使用。 8.3.3 AT89C51与EPROM的接口电路设计 1. 硬件接口电路 设计时，由于EPROM在正常使用中只能读出，不能写入，故EPROM芯片没有写入控制脚，只有读出控制脚，记为OE*，它与89C51单片机的PSEN*相连，地址线、数据线分别与89C51的地址线、数据线相连，片选端的控制可采用线选法或译码法。图8-13为外扩一片27128的接口电路图 。 图8-13 3. 使用多片EPROM的扩展电路 AT89C51扩展4片27128。 图8-14 图8-14中的片选控制信号由译码器产生。4片27128各自所占的地址空间，请读者自己