单片机原理及接口技术第8章 扩展存储器.pptVIP

MOVC A，@A+DPTR ；把以TAB为首址32个单元内 ；容送入A MOVX @R0，A ；程序存储器中表的内容送入 ；外部RAM单元 INC R0 ；循环次数加1，也即外部 ；RAM单元的地址指针加1 CJNE R0，#32，AGIN；判32个单元的数据是否已经 ；传送完毕，未完则继续 HERE： SJMP HERE ；原地跳转，模拟一段实际要 ；执行的其他程序段 TAB： DB ……，…… ；外部程序存储器中要传送的 ；32个单元的内容 * 8.6 E2PROM的扩展 在应用中，某些状态参数，不仅要求能够在线修改，而且断电后能保持，以备上电后恢复系统的状态。可选用具有断电保护功能的RAM和E2PROM。 断电保护功能的RAM容量大、速度快，但占用口线多，成本高。 E2PROM突出优点是能够在线擦除和改写，无须像用紫外线照射才能擦除，不存在在日光下信息缓慢丢失的问题。 E2PROM在写入时能自动完成擦除，且不再需要专用的编程电源，可直接使用单片机系统的+5V电源。 * 此外， E2PROM使单片机系统的设计，特别是调试实验更为方便、灵活。在调试程序时，用E2PROM代替仿真EPROM，既可方便地修改程序，又能保存调试好的程序。 当然，与RAM芯片相比， E2PROM的写入速度是比较慢，写入一个字节需要ms量级的时间。因此， E2PROM适合于数据交换量较少，对传送速度要求不高的场合。 另外，它的擦除/写入是有寿命限制的，虽有1万次之多，但也不宜用在数据频繁更新的场合。因此，应注意平均的使用各单元，不然有些单元可能会提前结束寿命。 * 与单片机的连接，有并行和串行之分。 并行的速度比串行快，容量大。并行的E2PROM 2864的容量为8k×8位，有时需要与单片机的接口连线少，这时可选用串行I2C接口的E2PROM 。 目前比较流行的是24系列的E2PROM ，主要由ATMEL、MICROCHIP等几家公司提供。典型芯片有AT24C02，AT24C08，AT24C16。 串行I2C接口扩展将在第12章中介绍。本节只介绍单片机与并行E2PROM芯片的接口设计与编程。 * 8.6.1 并行E2PROM芯片简介 常见的并行芯片有2816/2816A，2817/2817A，2864A等。引脚如图8-22所示，其主要性能见表8-11 (表中芯片均为Intel公司产品)。 在引脚设计上，2KB的E2PROM 2816与相同容量的EPROM 2716和静态RAM 6116是兼容的，8KB的E2PROM 2864A与同容量的EPROM 2764和静态RAM 6264也是兼容的。 2816、2817和2864A的读出数据时间均为250ns，写入时间10ms。 * 数据存储器分为动态数据存储器与静态数据存储器。在单片机应用系统中，如果外部扩展动态数据存储器，还需要有对应的刷新电路，所以，在单片机的外部扩展的数据存储器都采用静态数据存储器（SRAM）。 对外部扩展的数据存储器空间访问，P2口提供高8位地址，P0口分时提供低8位地址和8位双向数据总线。片外数据存储器RAM的读和写由AT89S51的 WR*（P3.7）和RD*（P3.6）信号控制。 * 8.3.1 常用的静态RAM（SRAM）芯片 单片机系统中常用的RAM芯片的典型型号有6116（2KB?），6264（8KB），62128（16KB），62256（32KB）。 6116为24脚封装，6264、62128、62256为28脚封装。这些RAM芯片的引脚如图8-11所示。 * * 图8-11 常用的RAM引脚图 各引脚功能： A0～A14：地址输入线。 D0～D7：双向三态数据线。 CE*：片选信号输入线。对6264芯片，当24脚（CS）为高电平且CE*为低电平时才选中该片。 OE*：读选通信号输入线，低电平有效。 WE* ：写允许信号输入线，低电平有效。 VCC —工作电源+5V。 GND —地。 RAM存储器有读出、写入、维持3种工作方式，工作方式的控制见表8-6。 * * 8.3.2 外扩数据存储器的读写操作时序 首先介绍AT89S51单片机对片外RAM的读和写两种操作时序。 1．读片外RAM操作时序 AT89S51单片机若外扩一片RAM，应将其WR*引脚与RAM芯片的引脚WE*连接，RD*引脚与芯片OE*引脚连接，并控制片选信号CE*有效，见表8-4。ALE信号用作锁存单片机发出的低8位地址的控制信号。 AT89S51单片机读片外RAM操作时序如图8-12所示。 * 图8-12 AT89S51单片机读片外RAM操