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第5章 存储器及存储器子系统其接口 第9.1~讲 微机系统 本章主要内容 5.1 存储器概述 5.2 半导体静态存储器 5.3 动态RAM存储器 5.4 存储器的接口设计（重点） 5.5 高速缓冲存储器（了解） 5.6 虚拟存储器（了解） 5.1 存储器概述 5.1.1 存储器的性能指标 5.1.2 存储器的分类 5.1.3 内存的基本组成 5.1.4 存储系统的层次结构 5.1.1 存储器的性能指标 5.1.1 存储器的性能指标 计算机存储器的性能指标很多，例如存储容量、存取速度、可靠性、性能价格比、体积和功耗等. 1. 存储容量 存储器可以存储的信息的字节数或比特数： 存储容量 = 存储字数 (存储单元数)×存储字长(每单元的比特数) （例如 1M 比特） 设存储器芯片的地址线和数据线位数分别是p和q，则该存储器芯片的编址单元总数为2p，该存储器芯片的位容量为2p×q。 5.1.1 存储器的性能指标 2 存取速度 存储器的存取速度可用“存取时间”、“存储周期”和“数据传输速率” 来衡量。 “存取时间”(Access Time) TA CPU发出有效存储器地址从而启动一次存储器读/写操作，从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间。取决于存储介质的物理特性和寻址部件的结构。 5.1 存储器概述 “存储周期”(memory cycle) TM 连续启动两次独立的存储器操作所需的最小时间间隔。 由于存储器在完成读/写操作之后需要一段恢复时间（刷新或重写），所以通常存储器的存储周期略大于存储器的存取时间（TMTA) 如果CPU在小于存储周期的时间之内连续启动两次存储器访问，那么存取结果的正确性将不能得到保证。 5.1 存储器概述 数据传输速率 总线宽度 W BM＝总线宽度W/TM 3 体积和功耗 4 可靠性 MTBF 5.1.2 存储器的分类 从不同的角度出发,存储器有不同的分类方式： 1.按存储元件材料可分:半导体存储器(双极性/MOS,常作主存),磁存储器(磁带,磁盘),光存储器(光盘). 2.按照工作时与CPU联系可分:主存(内存),辅存(外存). 主存?直接和CPU交换信息,且按存储单元读/写数据,速度快. 辅存?不能直接和CPU交换信息，作主存的外援,存放暂时不执行的程序和数据,它只是在需要时与主存进行批量数据交换,容量大,速度慢. 3. RWM vs ROM 4. 易失性 vs 非易失性 5. RAM SAM DAM 6. 并行 vs 串行 7. 地址寻址 vs 内容寻址 8. 静态 vs 动态（半导体存储器） 5.1.3 内存储器的基本组成 1 存储体 比特 存储字长 存储单元 2 地址译码部件 MAR 地址线数目n 与存储单元数N的关系为 n=log2N 3 读写电路 读出放大器 写入电路 读/写控制电路 MDR 5.1.4 存储系统的层次结构 现象：在一个较短的时间间隔内，程序所访问的存储器地址在很大比例上集中在存储器地址空间的很小范围内。大部分的指令是按顺序执行的，起指令地址是连续的，因而对这些地址的访问就具有时间上集中分布的倾向。数据的访问也相对集中于某一范围之内。 局部性原理：由于软件设计上的复用性和循环的使用，使程序在执行过程中，所执行的指令地址和指令的操作数地址，被反复使用的几率大大增加。在某一段时间内频繁访问某一局部的存储器地址，而对此范围以外的地址则很少访问的现象就是程序的局部性原理。 (principle of locality) 局部性原理 局部性原理的具体体现: 程序在执行时，大部分是顺序执行的指令，少部分是转移和过程调用指令。 过程调用的嵌套深度一般不超过5，因此执行的范围不超过这组嵌套的过程。 程序中存在相当多的循环结构，它们由少量指令组成，而被多次执行。 程序中存在相当多对一定数据结构的操作，如数组操作，往往局限在较小范围内。 单独用同一种类型的存储器很难同时满足容量大、速度快及价格低这三方面的要求。 为了发挥各种不同类型存储器的长处，避开其弱点，应把它们合理地组织起来，这就出现了存储系统层次结构的概念。 Cache命中率 5.2 半导体静态存储器 5.2.1 SRAM存储器 5.2.2 UV-EPROM存储器 5.2.3 EEPROM存储器 5.2.4 闪速存储器 5.2.1 静态RAM(SRAM) (1) 静态RAM的基本存储单元 基本存储单元(cells)是组成存储器的基础和核心，用于存储一位二进制代码“0”或者“1”。 静态RAM的基本存储单元通常由6个MOS管组成，如下图所示。 (2) 静态RAM芯片举例 常用的静态RAM芯片主要有6116、 6264、 62256、 628