新半导体光电器件第一章.pptVIP

* 这个式子说明，在非竖直跃迁过程中，依靠发射或吸收适当的声子，电子的波数k是可以改变的。由上面的讨论可以看到，非竖直跃迁一方面有赖于电子与电磁波的相互作用，另一方面还依赖于电子与晶格的作用，在理论上，这是一个二级过程，比竖直跃迁（只决定于电子和电磁波作用的一级过程）要微弱的过程。一般说来这种过程发生的几率比直接跃迁小很多，发光效率低。Si 、Ge 和Ⅲ-Ⅴ族化合物中的GaP、AlAs、AlSb都属于这一类。 对于这类材料，若掺以适当的杂质，也可改变其复合几率，提高发光效率。如GaP是典型的间接带隙材料，本来这种材料中电子和空穴复合时，必须有声子参加，才能满足动量守恒条件，是一个二级过程，几率很小，但当掺入N或Zn、O时，则能形成下面我们要讲到的等电子陷阱，使电子与空穴的复合几率大大增加，显著地提高了GaP的发光性能。 (1.7) * 2、浅能级杂质与主带间的复合 （1）浅施主与价带空穴之间的复合 （2）浅受主与导带电子之间的复合 图1.6 浅杂质能级与主带的复合 导带 施主 受主 价带 （1） （2） * 特点：由于浅施主（或受主）的电离能很小（一般为几个毫电子伏），其发射光谱很难与带间跃迁区别， 实验证明其发射光子能量总比禁带宽度小，原因？ 它不是由带间复合发光引起的，可以认为它是价带中的空穴和俘获在浅能级上的电子的复合，通常采用Lambe