逻辑门电路讲义.ppt

二、分立元件门电路 主要介绍了由半导体二极管、三极管和 MOS 管构成的与门、或门和非门。 虽然，分立元件门电路不是本章的重点，但是通过对这些电路的分析，可以体会到与、或、非三种最基本的逻辑运算，是如何用半导体电子电路实现的，这将有助于后面集成门电路的学习。 三、集成门电路 — 本章重点 主要介绍了 CMOS 和 TTL 集成门电路，重点应放在它们的输出与输入之间的逻辑特性和外部电气特性上。 1. 逻辑特性（逻辑功能）： 普通功能 — 与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非 门和异或门。 特殊功能 — 三态门、OC门、OD门和传输门。 2. 电气特性： 静态特性 — 主要是输入特性、输出特性和传输特性。 动态特性 — 主要是传输延迟时间的概念。 四、集成门电路使用中应注意的几个问题 TTL CMOS 分类 工作电源 VCC = 5 V VDD = 3 ? 18 V 输出电平 UOL= 0.3 V UOH = 6 V UOL ? 0 V UOH ? VDD UTH = 0.5 VDD UTH = 1.4 V 阈值电压 输入端串 接电阻Ri 当 Ri Ron（2.5 k? ） 输入由 0 → 1 在一定范围内，Ri的改 变不会影响输入电平 输入端 悬空 即 Ri = ? 输入为 “1” 不允许 多余输入 端的处理 1. 与门、与非门接电源；或门、或非门接地。 2. 与其它输入端并联。 [练习] 写出图中所示各个门电路输出端的逻辑表达式。 TTL CMOS A 100? 100k? = 1 A 100? 100k? = 1 = 1 ≥1 A 100? 100k? ≥1 A 100? 100k? = 0 [练习] 写出图中所示各个门电路输出端的逻辑表达式。 TTL CMOS =1 A 100? 100k? =1 A 100? 100k? A 悬空 A 悬空 不允许 * P = 0 (低电平) D3 导通 T2 、T4截止 uQ ≤ 1 V T3、D 截止 输出端与上、下均断开 +VCC +5V R1 A T1 T2 T3 T4 D R2 R3 R4 Y B 1 D3 可能输出状态： 0、1 或高阻态 Q P — 高阻态 记做 Y = Z 使能端 应用举例： (1) 用做多路开关 Y A1 1 EN 1 EN A2 1 G1 G2 使能端 1 0 禁止 使能 0 1 使能 禁止 (2) 用于信号双向传输 A1 1 EN 1 EN A2 1 G1 G2 0 1 禁止 使能 1 0 使能 禁止 (3) 构成数据总线 EN 1 EN 1 EN 1 … G1 G2 Gn A1 A2 An 数据总线 0 1 1 … 1 0 1 … 1 1 0 … 注意： 任何时刻，只允许一个三态门使能， 其余为高阻态。 4 其他双极型电路 4.1 ECL电路 射极耦合逻辑,简称ECL,它是非饱和型电路,主要特点是有极高的工作速度,负载能力强功耗很大，抗干扰能力较差。 4.2 I2L电路 集成注入逻辑，简称I2L电路，主要特点是集成度很高，功耗较低，工作电源电压低，工作电流低，但输出电压幅度小，工作速度低。 5 MOS 逻辑门 5.1 MOS场效应管 1. 结构和特性： (1) N 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S 3V 4V 5V uGS = 6V iD /mA 4 2 6 4 3 2 1 0 uGS /V iD /mA 4 3 2 1 0 2 4 6 8 10 uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 UTN iD 开启电压 UTN = 2 V + - uGS + - uDS 衬 底 漏极特性 转移特性 uDS = 6V 截止区 　　P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S iD + - uGS + - uDS 衬 底 iD /mA iD /mA -2 -4 0 -1 -2 -3 -4 0 -10 -8 -6 -4 -2 - 3V - 4V - 5V uGS = - 6V -1 -2 -3 -4 -6 uGS /V uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 漏极特性 转移特性 截止区 UTP uDS = - 6V 开启电压 UTP = - 2 V 参考方向 MOS 管的开关特性 (1) N 沟道增强型 MOS 管 +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO