有机发光二极管专利态势发布讲义.ppt

日本出光兴产--中国专利申请 * 中国布局总量不大 近五年数量逐年下降 技术布局主要为材料技术，近年材料比例增大 主要申请人 * 主要申请人—日本出光兴产 索尼(2005年) 东芝(2008年) 松下(2011年) UDC(2006年) GOT(2011年) 出光兴产 LG(2009年) 主要申请人 * 关键技术研究内容 . 重点技术-多晶硅TFT 前沿技术-氧化物TFT 关键技术突破是技术进步、行业发展的必经之路。 研究关键技术，有助于业内企业明晰技术发展方向。 关键技术 关键技术 * 技术的专利现状 TFT技术申请量分布 关键技术 TFT申请量构成 TFT技术中日本申请量和质均居领先地位。 多晶硅技术为量产热点技术，氧化物技术为前沿技术。 四种TFT主要申请人分布 序号 a-Si P-Si OTFT 氧化物 申请人 国别 申请人 国别 申请人 国别 申请人 国别 1 三星 韩国 三星 韩国 三星 韩国 半导体能源 日本 2 夏普 日本 精工爱普生 日本 柯尼卡 日本 三星 韩国 3 LG 韩国 夏普 日本 理光 日本 精工爱普生 日本 4 精工爱普生 日本 索尼 日本 精工爱普生 日本 夏普 日本 5 索尼 日本 日立显示器 日本 住友化学 日本 LG 韩国 * 关键技术 主要TFT技术申请量日韩企业占领先地位 热点技术--多晶硅TFT技术主要涉及方向 * 多晶硅的形成方法 与有源层配套的部件结构 多晶硅有源层性能的改进 关键技术 中国专利申请集中于多晶硅有源层的形成工艺和方法。 国外专利申请广泛，涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及适用结构。 如CN102082098A； KR100721957B1； US7524728B2等 如JP3894441B2; CN1941298A; CN101131964A 等 例如US7297980B2; KR20110053041A; EP1939933A3 等 前沿技术--氧化物TFT技术主要涉及方向 * 关键技术 国内外研发方向一致：氧化物有源层材料的开发或形成有源层的方法。 有源层 材料 有源层配套的部件 氧化物 形成方法 如CN101615582A； US7804231B2等 如CN102064109A; JP2010278412A等 如CN101488459A; US8017513B等 从多晶硅TFT专利技术来看，国外的申请人研发方向具有前瞻性。 从氧化物TFT专利技术来看，国外的产学研结合较为紧密。 * 关键技术 专利运用管理分析 专利引进 交叉许可 专利诉讼 丰田、昭和电工、摩托罗拉等 三洋电机、Tohoku Device、富士、日本精机、Rohm、Denso、OPTEX、 Emagin、LiteArray、永信、奇美、联宗光电、东元激光、光磊、统宝、信利国际、精电国际等 爱普生、大日本印刷、住友化学、翰立光电、陶氏化学、西门子、Bayer、Covion、 Eastgate Technology、Micormissive Display等 合作生产 * 专利 合作 交叉许可 专利引进 合作生产 专利运用管理分析 * * * 有机发光二极管(OLED)专利态势 主 要 内 容 * 专利运用管理分析 专利文献数据 全球专利发展态势 中国专利发展态势 主要申请人分析 重点技术分析 产业发展状况 产业发展状况 * 研发始于欧美；显示产业化集中在韩国、日本、中国大陆和台湾。 “863计划”中“高清晰度平板显示专项” 《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》 《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》 大陆主要集中在长三角、珠三角以及京津地区。 《国家中长期科技发展规划纲要》 《鼓励进口技术和产品目录（2011版）》 《产业结构调整指导目录（2011年本）》 5个 19个 40个 10个 技术分解项目 中国总量：10153件 全球总量：70423项 专利文献数据量 全球专利态势 * 区域分析 . 技术构成分析 总量趋势分析 二 一 三 四 申请人分析 * 全球专利态势 * 全球专利态势 专利年申请量总体呈快速增长态势，日本和美国前期专利布局较多，韩国增长最快 全球申请99％在中国、日本、韩国、美国和欧洲 专利申请流向图 * 全球专利态势 美国市场最受全球申请人重视 美国和日本最重视中国市场 申请目的地申请量发展趋势 * 全球专利态势 全球OLED各技术分支发展趋势 * 全球专利态势 专利申请逐渐由上游专利向下游专利转移 全球OLED主要申请人排名 * 全球专利态势 大型跨国企业申请量大，集中趋势明显 申请人 多边申请量 国别 起始年度 07年比例 08年比例 09