第三节 电子显微镜中的电子衍射 三、磁转角 电子通过电磁透镜时, 在磁场作用下作螺旋近轴运动, 到达荧光屏时电子将转过一定角度 成像操作时,若图像相对于样品的磁转角为?i, 而衍射操作 时,衍射花样相对于样品的磁 转角为?d ,则衍射花样相对于 图像的磁转角为? ? = ?i ??d 标定磁转角的方法是利用已知 的面状结构特征,如 TiB 晶体 柱面,标定方法见图10-18 * 图10-18 用已知面状结构特征标定磁转角 200 000 ? (200) N200 g200 第三节 电子显微镜中的电子衍射 三、磁转角 如图10-18所示, TiB晶体的空间形态为柱体, 横截面为 梭形, (200)晶面为其一柱面, 图像中其法线方向为N200,衍 射花样标定结果给出的法线方向为g200, N200与g200 之间的夹 角即为磁转角? 磁转角随放大倍数和相机长度的改变而变化,表10-1为CM12 透射电镜在常用放大倍数和相机长度下的磁转角数据 放大倍数 10k 17k 22k 35k 45k 60k 100k 200k 相机 长度 (mm) 530 16.0 14.5 12.7 7.5 -71.5 -72.5 -79.0 -74.5 770 11.5 10.0 8.2 4.0 -76.0 -77.0 -74.5 -79.0 1100 21.0 19.5 17.7 13.5 -66.5 -67.5 -69.5 -69.5 * 表10-1 PHILIPS CM12 透射电镜的磁转角 (?) 第四节 单晶体电子衍射花样标定 标定电子衍射花样的目的,通过各衍射斑点指数和晶带轴指数的标定,以确定衍射物质的点阵类型、物相及其取向 单晶体电子衍射花样的几何特征 1) 单晶电子衍射花样由规则排列的斑点构成,斑点位于二维网格的格点上,见图10-19 2) 任意两个衍射斑点矢量间夹角等 于相应两个衍射晶面之间的夹角 3) 在花样中取两个衍射斑点矢量R1 和R2,其余各斑点矢量 R R = mR1 + nR2 相应斑点指数之间的关系为 (hkl)=(mh1+nh2 , mk1+nk2 , ml1+nl2) * 图10-19 单晶电子衍射 花样的几何特征 第四节 单晶体电子衍射花样标定 一、已知晶体结构衍射花样的标定 1. 尝试校核法 1) 测量斑点间距R1,R2,R3 ?,测量R1与R2之间的夹角? 2) 利用电子衍射基本公式,计算相应面间距d1, d2,d3 ? 3) 对照物质卡片,由d 值确定 {h1k1l1},{h2k2l2}, {h3k3l3}? 4) 在{h1k1l1} 晶面族中选定(h1k1l1)为R1对应衍射斑点指数 5) 在 {h2k2l2} 晶面族中选取(h2k2l2)为R2对应衍射斑点指
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