M-THGEM及CCD光读出研究.pptxVIP

M-THGEM及CCD光读出研究主要内容M-THGEM实验室厚GEM研究现状M-THGEM研制M-THGEM性能测试THGEM测试换气过程优化基于厚GEM和CCD的成像探测器研究进展厚GEM光读出现状光读出探测器设计CCD、PMT光读出初步测试总结实验室厚GEM研究现状厚GEM具有增益高、造价便宜、结实耐用、亚毫米级的位置分辨、易于大面积制作等优点。我们研制了陶瓷、FR4（环氧树脂）、PTFE（聚四氟乙烯）和Kapton（聚酰亚胺）共四种高性能基材THGEM，并将他们应用于TPC探测器、PDD探测器以及中子探测等。其中FR-4具有工艺成熟、易于加工、成本低廉的优势。FR-4指的是一种耐燃材料的等级，种类较多。我们针对FR-4基材厚GEM进行了优选研制。优性能FR-4M-THGEM M-THGEM(Multi-THickGasElectronMultipliers)是基于多梯级THGEM探测器，将多片THGEM压缩印制成一片M-THGEM，极低地压缩了空间，除了拥有普通THGEM探测器的优点，M-THGEM探测器可以在更低工作电压下拥有更高增益[1]。 3级THGEM多层印制PCB技术HD：200μmPitch:600μmRim:80μmTH:500μm60*60mm23-layer-THGEMFR-4基材M-THGEM研制挑选优性能的FR-4基材配方研制了2-layer-THGEM和3-layer-THGEMHD：200μmPitch:600μmRim:80μmTH:300μm60*60mm2对比传统多级THGEM，M-THGEM的优势：梯级之间电荷损失可忽略不计，更低电压下更高效的电子倍增无需猝灭气体，也可以更稳定地工作在纯惰性气体中[1]结构更加紧凑，充分节约空间2-layer-THGEMHD：200μmPitch:600μmRim:80μmTH:500μm60*60mm2应用：重离子径迹探测μ子跟踪[1]大面积UV光子探测器X-ray/中子成像与闪烁光读出3-layer-THGEM[1]M.Cortesi,et al.,NSCL, Michigan State University, East Lansing (MI) 48824, U.S.A M-THGEM性能测试增益性能工作气体：Ar+CO2(10%)Double layers THGEM2-Layer-THGEM对比双层THGEM，M-THGEM的工作电压坪区由920~1050V下降至550~730V；增益也略有提升；基本达到了更低工作电压下拥有更高增益的要求。M-THGEM性能测试长期稳定性以及能量分辨2-layer-M-THGEMEnergy Resolution=33.2%@gain=104 5个小时之后，增益基本保持在2X104左右，波动幅度大约为2400/20000=12%；增益为104时能量分辨率为33.2%。THGEM测试换气过程优化目的：缩短THGEM性能测试中腔室充入/更换工作气体过程的时间周期方式：将测试腔室抽至近真空，再充入目标气体NIM阀门及管路PLC控制柜真空泵PLC-Labview控制程序快速换气系统THGEM测试换气过程优化排空法真空换气法耗时（2~10小时）耗气换气效果不够稳定换气时间缩短至10分钟左右节约气体换气效果更好、更稳定，有利于在对比THGEM性能时排除换气效果造成的影响排空法真空换气法工作坪区更加集中同种基材增益曲线更加相近测试效率更高基于厚GEM和CCD的成像探测器研究进展 厚GEM光读出背景及现状基于微结构气体探测器（MPGD）的成像应用十分广泛，如X射线成像和中子成像等。就探测器而言，有多种选择，如Micromegas、GEM和厚GEM等，相对于硅和闪烁体成像技术，MPGD具有大面积、成本低的优点，国内外基于各种MPGD均有应用于成像的研究。 除了电荷感应读出方法之外，还可以利用雪崩发光进行读出！优点：单一光读出器件（如CCD）即可实现非常大视角和灵敏面积的读出，只需调焦。读出体积小、成本大大降低。CCD相机是完全商业化的成熟且高性能产品，成本较低。基于厚GEM和CCD的成像探测器研究进展 180μm hole280μm pitch厚GEM光读出背景及现状我们以前有用ICCD相机测试厚GEM光读出，国科大也有THGEM成像方面的研究。国外有用G-GEM(Glass-GasElectronMultiplier)与普通CCD成像的研究，下图为其在100*100mm2面积下得到的清晰X射线图像，空间分辨~500um。Obtained image of leaves (2sec integration time)[2] 研究目标：实现一种基于厚GEM或M-THGEM并且以普通CCD相机读出的X-ray成像探测器，单CC