实验四变容二极管调频.docVIP

本科实验报告 课程名称： 高频电子线路 实验项目： 变容二极管调频 实验地点： 信号与系统及高频电子线路实验室 专业班级： 电科1201班 学号： 2012001614 学生姓名： 杨超凡 指导教师： 王耀力 2014年12月17日 实验六变容二极管调频 一、实验目的 1、掌握变容二极管调频的工作原理； 2、学会测量变容二极管的Cj～V特性曲线； 3、学会测量调频信号的频偏及调制灵敏度。 二、实验原理 1、实验原理 （1）变容二极管调频原理 所谓调频，就是把要传送的信息（例如语言、音乐）作为调制信号去控制载波（高频振荡信号）的瞬时频率，使其按调制信号的规律变化。 设调制信号：，载波振荡电压为： 根据定义，调频时载波的瞬时频率随成线性变化，即 （6-1） 则调频波的数字表达式如下： 或　　（6-2） 式中：是调频波瞬时频率的最大偏移，简称频偏，它与调制信号的振幅成正比。比例常数Kf亦称调制灵敏度，代表单位调制电压所产生的频偏。 式中：称为调频指数，是调频瞬时相位的最大偏移，它的大小反映了调制深度。由上公式可见，调频波是一等幅的疏密波，可以用示波器观察其波形。 如何产生调频信号？最简便、最常用的方法是利用变容二极管的特性直接产生调频波，其原理电路如图6—1所示。 图6-1变容二极管调频原理电路 变容二极管通过耦合电容并接在回路的两端，形成振荡回路总电容的一部分。因而，振荡回路的总电容C为： 　　　　（6-3） 振荡频率为： （6-4） 加在变容二极管上的反向偏压为： 变容二极管利用PN结的结电容制成，在反偏电压作用下呈现一定的结电容（势垒电容），而且这个结电容能灵敏地随着反偏电压在一定范围内变化，其关系曲线称～曲线，如图6—2所示。 由图可见：未加调制电压时，直流反偏（在教材称）所对应的结电容为（在教材中称）。当反偏增加时，减小；反偏减小时，增大，其变化具有一定的非线性，当调制电压较小时，近似为工作在～曲线的线性段，将随调制电压线性变化，当调制电压较大时，曲线的非线性不可忽略，它将给调频带来一定的非线性失真。 图6-2用调制信号控制变容二极管结电容 我们再回到图6—1，并设调制电压很小，工作在～曲线的线性段，暂不考虑高频电压对变容二极管作用。 设　　（6-5） 由图6—2（c）可见：变容二极的电容随υR变化。 即：　（6-6） 由公式（3）可得出此时振荡回路的总电容为 由此可得出振荡回路总电容的变化量为： 　　　　（6-7） 由式可见：它随调制信号的变化规律而变化，式中是变容二极管结电容变化的最大幅值。我们知道：当回路电容有微量变化时，振荡频率也会产生的变化，其关系如下： （6-8） 式中，是未调制时的载波频率；是调制信号为零时的回路总电容，显然 由公式（6-4）可计算出（调频中又称为中心频率）。 即： 将（6-7）式代入（6-8）式，可得： （6-9） 频偏：（6-10） 振荡频率：（6-11） 由此可见：振荡频率随调制电压线性变化，从而实现了调频。其频偏与回路的中心频率成正比，与结电容变化的最大值成正比，与回路的总电容成反比。 为了减小高频电压对变容二极管的作用，减小中心频率的漂移，常将图6—1中的耦合电容的容量选得较小（与同数量级），这时变容二极管部分接入振荡回路，即振荡回路的等效电路如图6—3所示。理论分析将证明这时回路的总电容为 　　　(6-12) 　图6-3 　Cj部分接入回路 回路总电容的变化量为： 　　　(6-13) 频偏: 　(6-14) 式中，称为接入系数。 关于直流反偏工作点电压的选取，可由变容二极管的～曲线决定。从曲线中可见，对不同的值，其曲线的斜率（跨导）各不相同。较小时，较大，产生的频偏也大，但非线性失真严重，同时调制电压不宜过大。反之，较大时，较小，达不到所需频偏的要求，所以一般先选在～曲线线性较好，且较大区段的中间位置，大致为手册上给的反偏数值，例：2CC1C，。本实验将具体测出实验板上的变容二极管的～曲线，并由同学们自己选定值，测量其频偏的大小。 （2）变容二极管～曲线的测量，将图6—1的振荡回路重画于图6—4，代表不同反偏时的结电容，其对应的振荡频率为。若去掉变容二极管，回路则由、组成，对应的振荡频率为，它们分别为 （6-15） （6-16） 图6-4测量Cj～VR曲线 由式（6-15）、（6-16）可得： (6-17) 、易测量，如何求？将一已知电容并接在回路两端，如图6-5所示。此时，对应的频率为，有 (6-18) 由式（6-16）、（6-18）可得：