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MEMS工艺——硅微加工工艺（腐蚀） 梁 庭 3920330(o) Liangting@nuc.edu.cn 内容 腐蚀工艺简介 湿法腐蚀 干法刻蚀 其他类似加工工艺 腐蚀工艺简介 腐蚀是指一种材料在它所处的环境中由于另一种材料的作用而造成的缓慢的损害的现象。然而在不同的科学领域对腐蚀这一概念则有完全不同的理解方式。 在微加工工艺中，腐蚀工艺是用来“可控性”的“去除”材料的工艺。 腐蚀工艺简介——腐蚀工艺重要性 大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。 “Top-Down”加工思想：通过去掉多余材料的方法，实现结构的加工。（雕刻——泥人） 腐蚀工艺简介——腐蚀工艺作用 图形工艺 掩模图形生成 台阶结构生成 衬底去除 牺牲层去除 清洁表面 湿法腐蚀 湿法腐蚀——“湿”式腐蚀方法，基于溶液状态的腐蚀剂。 湿法腐蚀工艺特点： 设备简单，操作简便，成本低 可控参数多，适于研发 受外界环境影响大 浓度、温度、搅拌、时间 有些材料难以腐蚀 湿法腐蚀——方向性 各向同性腐蚀——腐蚀速率在不同方向上没有差别 各向异性腐蚀——对不同的晶面的腐蚀速率有明显差别 利用各向异性腐蚀特性，可以腐蚀出各种复杂的结构。 各向异性腐蚀和各向同性腐蚀 硅腐蚀方法：干法和湿法 腐蚀方向选择性：各向同性和各向异性 腐蚀材料选择性： 选择性刻蚀或非选择性刻蚀 选择方法：晶向和掩模 多种腐蚀技术的应用：体硅工艺（三维技术），表面硅工艺（准三维技术） 硅的各向异性腐蚀 是利用腐蚀液对单晶硅不同晶向腐蚀速率不同的特性，使用抗蚀材料作掩膜，用光刻、干法腐蚀和湿法腐蚀等手段制作掩膜图形后进行的较大深度的腐蚀。 机理：腐蚀液发射空穴给硅，形成氧化态Si+，而羟基OH-与Si+形成可溶解的硅氢氧化物的过程。 硅的各向异性腐蚀技术 各向异性(Anisotropy) 各向异性腐蚀液通常对单晶硅(111)面的腐蚀速率与(100)面的腐蚀速率之比很大（1：400） 湿法腐蚀的化学物理机制 腐蚀——生长 晶体生长是典型的各向异性表现。 腐蚀作用：晶体生长的反过程 湿法腐蚀的化学物理机制 腐蚀过程： 反应物扩散到腐蚀液表面 反应物与腐蚀表面发生化学反应 反应物的生成物扩散到溶液中去 硅腐蚀机理（P62） 总反应式为： 悬键密度只是导致各向异性的一个因素，但不能解释不同晶面间腐蚀速率有几百倍这么大的差异。实际的腐蚀机制，还和表面的粗糙，微台阶处的阶跃自由能，以及和吸附、扩散过程密切相关的动力学因素有关。 各向异性腐蚀简单小结： 粗糙晶面腐蚀比光滑晶面快。（111）面在腐蚀过程中会因表面重建或吸附变得更平坦，因而容易在腐蚀过程中显露出来。 理想晶体平滑面腐蚀速率的激活能和化学反应的能量势差以及液体传输有关。前者的作用是各向异性的，后者是各向同性的。 表面重构状态影响着腐蚀速率的变化 不同的腐蚀剂中，不同阳离子会影响腐蚀过程中特殊面的稳定性，因而导致腐蚀结果不同。 各向异性腐蚀的特点： 腐蚀速率比各项同性腐蚀慢，速率仅能达到1um/min 腐蚀速率受温度影响 在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右，从而影响到许多光刻胶的使用 各向异性腐蚀液 腐蚀液： 无机腐蚀液：KOH, NaOH, LiOH, NH4OH等； 有机腐蚀液：EPW、TMAH和联胺等。 常用体硅腐蚀液： 氢氧化钾(KOH)系列溶液； EPW(E：乙二胺，P：邻苯二酚，W：水)系列溶液。 乙二胺(NH2(CH2) 2NH2) 邻苯二酚(C6H4(OH) 2) 水(H2O) 1.KOH system KOH是目前在微机电领域中最常使用的非等向蚀刻液，为一碱金属之强碱蚀刻液，其金属杂质会破坏CMOS的氧化层电性，所以不兼容于IC制程； 但因其价格低廉、溶液配制简单、对硅(100)蚀刻速率也较其它的蚀刻液为快，更重要的是操作时稳定、无毒性、又无色，可以观察蚀刻反应的情况，是目前最常使用的蚀刻液之一。 1.KOH system 溶剂：水，也有用异丙醇(IPA) 溶液：20% - 50% KOH 温度： 60 – 80oC 速率：~1um/分钟 特点：镜面，易于控制，兼容性差 KOH的刻蚀机理 2.EDP system Ethylenedamine 为有机淡黄色溶液，加入pyrocatechol后颜色会变成暗褐色，随着反应的进行，颜色会加深，故不易观察蚀刻表面的反应过程，蚀刻速率也会改变，这是因为蚀刻液接触到空气中的氧氧化所引起，此一氧化过程会使得化合物pyrazine (C4H4N2)增加而改变其蚀刻速率； EDP不具碱金属离子，可与IC制程相容，且对蚀刻停止所需的硼掺杂浓度较低，大约为7 x 1019 离子/cm-3，但是EDP具有毒性，蚀刻操作温度须在摄氏一百多度，危险性较高，