微电子器件实验4模版.docVIP

南京邮电大学 课内实验报告 课程名： 微 电 子 器 件 设 计 任课教师： 专业： 微 电 子 学 学号： 姓名： 2014/2015学年第2学期 南京邮电大学电子科学与工程学院 《微电子器件设计》课程实验第4次实验报告 实验内容及基本要求： 实验项目名称：NPN双极晶体管特性模拟 实验类型：验证 每组人数：1 实验内容及要求： 内容：采用MEDICI仿真软件对NPN晶体管进行器件仿真。 要求：能够用MEDICI编制器件仿真程序、会看结构参数并能调整结构参数。会画出并分析器件仿真结果。 实验考核办法： 实验结束要求写出实验报告。内容如下： 1、问题的分析与解答； 2、结果分析，比较不同器件结构参数对仿真结果的影响； 3、器件设计的进一步思考。 实验结果：（附后） 实验代码如下： TITLETMAMEDICIExample2P-NPNTransistorSimulation COMMENTSimulationwithModifiedEmitterRegion COMMENTInitialmeshspecification MESH X.MESHWIDTH=6.0H1=0.250 Y.MESHY.MIN=-0.25Y.MAX=0.0N.SPACES=2 Y.MESHDEPTH=0.5H1=0.125 Y.MESHDEPTH=1.5H1=0.125H2=0.4 COMMENTRegiondefinition REGIONNAME=SiliconSILICON REGIONNAME=OxideOXIDEY.MAX=0 REGIONNAME=PolyPOLYSILIY.MAX=0X.MIN=2.75X.MAX=4.25 COMMENTElectrodes ELECTRNAME=BaseX.MIN=1.25X.MAX=2.00Y.MAX=0.0 ELECTRNAME=EmitterX.MIN=2.75X.MAX=4.25TOP ELECTRNAME=CollectorBOTTOM COMMENTSpecifyimpurityprofiles PROFILEN-TYPEN.PEAK=5e15UNIFORMOUT.FILE=MDEX2DS PROFILEP-TYPEN.PEAK=6e17Y.MIN=0.35Y.CHAR=0.16 +X.MIN=1.25WIDTH=3.5XY.RAT=0.75 PROFILEP-TYPEN.PEAK=4e18Y.MIN=0.0Y.CHAR=0.16 +X.MIN=1.25WIDTH=3.5XY.RAT=0.75 PROFILEN-TYPEN.PEAK=7e19Y.MIN=-0.25DEPTH=0.25Y.CHAR=0.17 +X.MIN=2.75WIDTH=1.5XY.RAT=0.75 PROFILEN-TYPEN.PEAK=1e19Y.MIN=2.0Y.CHAR=0.27 COMMENTRegridsondoping REGRIDDOPINGLOGRATIO=3SMOOTH=1IN.FILE=MDEX2DS REGRIDDOPINGLOGRATIO=3SMOOTH=1IN.FILE=MDEX2DS COMMENTExtraregridinemitter-basejunctionregiononly. REGRIDDOPINGLOGRATIO=3SMOOTH=1IN.FILE=MDEX2DS +X.MIN=2.25X.MAX=4.75Y.MAX=0.50OUT.FILE=MDEX2MP PLOT.2DGRIDSCALEFILL+TITLE=”Example2P-ModifiedSimulationMesh” COMMENTModifypropertiesofpolysilicon-emitterregion MOBILITYPOLYSILICONC=7E19HOLE=2.3FIRSTLAST MATERIALPOLYSILITAUP0=8E-8 MODELCONMOBCONSRHAUGERBGN COMMENTInitialsolution SYMBCARRIERS=0 METHODICCGDAMPED SOLVEV(Collector)=3.0 SYMBNEWTONCARRIERS=2 SOLVE COMMENTSetuplogfiles,forwardbiasbase-emitterjunction,and +calculatetheadmittancematrixat1.0MHz LOGOUT.FILE=MDEX2PI SOLVEV(Base)=0.2ELEC=BaseVSTEP=0.1NSTEP=4 +AC.A