版图设计准则.PPTVIP

匹配设计 降低系统失配的例子 加dummy的电阻匹配 Dummy元件宽度可以小一些 悬空会带来静电积累！ 匹配设计 降低系统失配的例子 一维公用重心设计 二维公用重心设计 匹配设计 降低系统失配的例子 单元整数比(R1:R2=1:1.5) 均匀分布和公用重心 Dymmy元件 R1 R2 R1 R2 R2 R1 R1 R2 dummy dummy 匹配设计 降低系统失配的例子 单元整数比(8:1) 加dummy元件 公用重心布局 问题：布线困难，布线寄生电容影响精度 C1 C2 匹配设计 降低系统失配的例子 方向一致 加dummy保证周围环境对称 M1 M2 M1 M2 D S D S M1 M2 D S D S D S D S dummy dummy D, S不再对称！ 匹配设计 降低系统失配的例子 加dummy保证多晶刻蚀速率一致 M1 M2 M3 M1 M2 M3 dummy dummy 多晶刻蚀速率不一致 多晶刻蚀速率一致 匹配设计 降低系统失配的例子 加dummy导线保持环境对称 公用重心以减小梯度效应 不对称 互为镜像 匹配设计 降低系统失配的例子 叉指结构 交叉耦合结构 D1 D2 S 1 2 2 dummy dummy 1 D1 S D2 S D1 共同点：对梯度效应和倾斜注入不敏感 2 1 D2 S D1 1 2 D1 S D2 关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置）21中心匹配最佳。 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳. 匹配设计 降低系统失配的例子 匹配晶体管与其他晶体管保持相当距离，以免引起背栅掺杂浓度的变化，导致阈值电压和跨导的变化 d d d d d d 2倍阱深！ 抗干扰设计 数模混合电路的版图布局 屏蔽 滤波 设计规则poly1 符号 尺寸 含 义 4.a 0.6 用于互连的poly1最小宽度 4.b 0.75 Poly1最小间距 4.c 0.6 最小NMOS沟道长度 4.d 0.6 最小PMOS沟道长度 N+ P+ e e g g b b c a b d f f 可做MOS晶体管栅极、导线、poly-poly电容的下极板 多晶硅1 设计规则poly1 符号 尺寸 含 义 4.e 0.6 硅栅最小出头量 4.f 0.5 硅栅与有源区最小内间距 4.g 0.3 场区poly1与有源区最小内间距 N+ P+ e e g g b b c a b d f f 可做MOS晶体管栅极、导线、poly-poly电容的下极板 设计规则High Resistor 符号 尺寸 含 义 5.a 2.0 高阻最小宽度 5.b 1.0 高阻最小间距 5.c 1.0 高阻对poly2的最小覆盖 5.d 1.0 高阻与poly2的间距 在Poly2上定义高阻区 a b c d/f f e h 设计规则High Resistor 符号 尺寸 含 义 5.e 0.6 高阻与poly2电阻接触孔间距 5.f 0.8 高阻与低阻poly2电阻的间距 5.g 0.5 高阻与有源区的间距 5.h 1.0 高阻与poly1电阻的间距 其上禁止布线 高阻层定义电阻长度 Poly2定义电阻宽度 a b c d/f f e h 设计规则poly2 符号 尺寸 含 义 6.a 1.2 poly2做电容时的最小宽度 6.b 1.0 poly2做电容时的最小间距 6.c 0.5 3.2 Poly2与有源区的最小间距 做关键电容时的间距 6.d 1.5 电容底板对顶板的最小覆盖 6.e 0.8 电容Poly2对接触孔最小覆盖 6.f - Poly2不能在有源区上 6.g - Poly2不能跨过poly1边沿 可做多晶连线、多晶电阻和poly-poly电容的上极板 a b c d e i j 多晶硅2 设计规则poly2 符号 尺寸 含 义 6.h 0.8 poly2做导线时的最小宽度 6.i 1.0 poly2做电阻时的最小间距 6.j 1.0 Poly2电阻之间的最小间距 6.k - Poly2不能用做栅 6.l 0.5 电阻Poly2对接触孔最小覆盖 6.m - 除做电容外，Poly2不能与poly1重叠 可做多晶连线、多晶电阻和poly-poly电容的上极板 a b c d e i j 设计规则implant 符号 尺寸 含 义 8.a 0.9 注入区最小宽度 8.b 0.9 同型注入区最小间距 8.c 0.6 注